Intel hat die Optane Persistent Memory 200-Serie angekündigt, die leistungsstarke, persistente Speicherstufe der 2. Generation des Unternehmens für Skalierbare Intel Xeon-Prozessoren der 3. Generation auf 4-Sockel-Plattformen. Die neue PMem-Reihe soll im Vergleich zur letzten Generation durchschnittlich 25 % mehr Speicherbandbreite bieten, 12–15 Watt Thermal Design Power (TDP) und ist in Kapazitäten von bis zu 512 GB erhältlich.

Intel Optane Persistent Memory 200

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Plattformen, die für Prozessoren der 3. Generation optimiert sind, können ein Modul der Intel Optane PMem 200-Serie pro Kanal (und bis zu sechs auf einem einzelnen Sockel) unterstützen, was bedeutet, dass es bis zu 3 TB PMem pro Sockel und eine Gesamtspeicherkapazität (mit DRAM) von 4.5 bietet TB pro Sockel. Es verfügt außerdem über Datenpersistenz für den Speicher, bei dem die Daten sowohl nach geplanten als auch nach versehentlichen Neustarts im PMem verbleiben. Dies trägt dazu bei, unnötiges Neuladen von Daten zu vermeiden und so Ausfallzeiten und Verluste durch Systemausfälle zu reduzieren.

Vorteile von Intel Optane 200 PMem Intel weist auf die folgenden Möglichkeiten hin, wie die Intel Optane PMem 200-Serie wichtige Kennzahlen für Rechenzentren verbessern wird:

Erhöhte CPU-Auslastung und Nutzen jedes Servers
Erhöhter Anwendungsdurchsatz mit mehr Speicherkapazität
Erhöhte VM-Dichte oder Unterstützung von mehr Diensten und Benutzern
Unterstützung für größere In-Memory-Datenbanken ohne übermäßige Kosten
Verbessern Sie die geschäftliche Ausfallsicherheit von Systemen mit kritischen Daten
Konsolidieren Sie den Server-Footprint, reduzieren Sie die Softwarelizenzkosten und maximieren Sie die Rendite Ihrer Unternehmensinvestition

Die Intel Optane PMem 200-Serie nutzt außerdem die anwendungstransparente AES-256-Verschlüsselung für ruhende Daten, die Daten im persistenten Speicher ohne Änderungen am Softwarecode und mit minimalen Auswirkungen auf die Leistung sichert.

Intel fügt hinzu, dass die Optane PMem 200-Serie Benutzern dabei helfen wird, mehr Daten aus größeren Datensätzen zu extrahieren, was jedem Server viel Nutzen bringt. Darüber hinaus können In-Memory-Datenbanken mit „DRAM-ähnlicher Geschwindigkeit“ auf mehr Daten zugreifen und große Datenmengen verarbeiten, ohne dass Daten wiederholt lokal geladen und gespeichert werden müssen.

Technische Daten der Intel Optane Persistent Memory 200-Serie

SKU⁺	128 GB		256 GB		512 GB
BENUTZERKAPAZITÄT⁺	126.7 GiB		253.7 GiB		507.7 GiB

ENDURANCE 100 % SCHREIBEN 15W 256B	292 PBW	497 PBW	410 PBW
ENDURANCE 67 % LESEN; 33 % SCHREIBEN 15W 256B	224 PBW	297 PBW	242 PBW
ENDURANCE 100 % SCHREIBEN 15W 64B	73 PBW	125 PBW	103 PBW
ENDURANCE 67 % LESEN; 33 % SCHREIBEN 15W 64B	56 PBW	74 PBW	60 PBW
BANDBREITE 100 % GELESEN 15W 256B	7.45 GB / s	8.10 GB / s	7.45 GB / s
BANDBREITE 67 % LESEN; 33 % SCHREIBEN 15W 256B	4.25 GB / s	5.65 GB / s	4.60 GB / s
BANDBREITE 100 % SCHREIBEN 15W 256B	2.25 GB / s	3.15 GB / s	2.60 GB / s
BANDBREITE 100 % GELESEN 15W 64B	1.86 GB / s	2.03 GB / s	1.86 GB / s
BANDBREITE 67 % LESEN; 33 % SCHREIBEN 15W 64B	1.06 GB / s	1.41 GB / s	1.15 GB / s
BANDBREITE 100 % SCHREIBEN 15W 64B	0.56 GB / s	0.79 GB / s	0.65 GB / s

DDR-FREQUENZ	2666 MT / s
MAX. TDP	15W	18W
TEMPERATUR (TJMAX)	≤ 83 °C (85 °C Abschaltung, 83 °C Standard) Medientemperatur
TEMPERATUR (AMBIENT)	48 °C bei 2.4 m/s für 12 W
TEMPERATUR (AMBIENT)	43 °C bei 2.7 m/s für 15 W