Samsung gibt bekannt, dass es mit der Massenproduktion seines neuen 3D-V-NAND begonnen hat, das im Vergleich zu Sub-20-nm-Floating-Gate-NAND-Flash-Speichern eine zwei- bis zehnfache Zuverlässigkeit und eine doppelt so hohe Schreibleistung verspricht. Um dieses Ziel zu erreichen, hat Samsung eine neue Technologie implementiert, die die planaren Zellschichten vertikal zu einer 3D-Struktur stapelt. Das neue 3D-V-NAND bietet eine Dichte von 128 GB auf einem einzigen Chip und beinhaltet Samsungs proprietäre vertikale Zellstruktur, die auf der 3D-Charge-Trap-Flash-Technologie (CTF) und der vertikalen Verbindungsprozesstechnologie basiert, um das 3D-Zellen-Array zu verbinden. Dieses neue Samsung-Angebot wird die treibende Kraft hinter einer Reihe neuer Produkte sein, darunter Angebote für Unterhaltungselektronik sowie Unternehmensprodukte und SSDs.
Samsung gibt bekannt, dass es mit der Massenproduktion seines neuen 3D-V-NAND begonnen hat, das im Vergleich zu Sub-20-nm-Floating-Gate-NAND-Flash-Speichern eine zwei- bis zehnfache Zuverlässigkeit und eine doppelt so hohe Schreibleistung verspricht. Um dieses Ziel zu erreichen, hat Samsung eine neue Technologie implementiert, die die planaren Zellschichten vertikal zu einer 3D-Struktur stapelt. Das neue 3D-V-NAND bietet eine Dichte von 128 GB auf einem einzigen Chip und beinhaltet Samsungs proprietäre vertikale Zellstruktur, die auf der 3D-Charge-Trap-Flash-Technologie (CTF) und der vertikalen Verbindungsprozesstechnologie basiert, um das 3D-Zellen-Array zu verbinden. Dieses neue Samsung-Angebot wird die treibende Kraft hinter einer Reihe neuer Produkte sein, darunter Angebote für Unterhaltungselektronik sowie Unternehmensprodukte und SSDs.
Das neue 3D-V-NAND von Samsung ist das erste der Branche und ein bedeutender Fortschritt, da die NAND-Flash-Branche darüber nachdenkt, wie sie die Kosten weiter senken und die Kapazitäten erweitern kann, indem sie gleichzeitig die NAND-Lithographiegrößen auf die 10-20-nm-Klasse und vielleicht darüber hinaus verringert Vermeidung von Einbußen bei der Zuverlässigkeit. Vor diesem Hintergrund hat Samsung seine ursprünglich im Jahr 2006 entwickelte CTF-Technologie evaluiert, bei der eine elektrische Ladung vorübergehend in einer Haltekammer der nichtleitenden Flash-Schicht aus Siliziumnitrid (SiN) platziert wird. Dies unterscheidet sich von der Nicht-3D-Technologie, bei der ein Floating Gate verwendet wird, um Interferenzen zwischen benachbarten Zellen zu verhindern.
Bei der 3D-V-NAND-Technologie, an der Samsung seit 10 Jahren forscht und arbeitet und mittlerweile mehr als 300 Technologien weltweit zum Patent angemeldet hat, kann die vertikale Verbindungstechnologie bis zu 24 Schichten stapeln. Zu diesem Zweck setzt Samsung eine Ätztechnologie ein, um die Schichten elektronisch zu verbinden, indem Löcher von der höchsten Schicht bis zur Unterseite gestanzt werden. Mit der vertikalen 3D-Struktur schafft Samsung eine Methode, mit der NAND-Flash-Speicherprodukte mit höherer Dichte hergestellt werden können, ohne dass eine planare Skalierung erforderlich ist, was natürlich Einschränkungen mit sich bringt.
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