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Samsung V-NAND der 8. Generation mit der branchenweit höchsten Bitdichte beginnt mit der Produktion

by Lyle Smith

Samsung hat angekündigt, mit der Massenproduktion eines 1-Terabit (Tb) Triple-Level-Cell (TLC) V-NAND der achten Generation mit der branchenweit höchsten Bitdichte begonnen zu haben. Dieses neue V-NAND wird außerdem über die höchste auf dem Markt verfügbare Speicherkapazität verfügen und so größeren Speicherplatz in Unternehmensserversystemen der nächsten Generation ermöglichen. Samsung hat bereits sein 8 angekündigtth-gen 1 TB TLC V-NAND auf dem Flash Memory Summit 2022 und dem Samsung Memory Tech Day 2022 sowie dem Erweiterung seiner NAND-Flash-Produktionskapazität in Pyeongtaek, Korea, im Jahr 2020.

Samsung hat angekündigt, mit der Massenproduktion eines 1-Terabit (Tb) Triple-Level-Cell (TLC) V-NAND der achten Generation mit der branchenweit höchsten Bitdichte begonnen zu haben. Dieses neue V-NAND wird außerdem über die höchste auf dem Markt verfügbare Speicherkapazität verfügen und so größeren Speicherplatz in Unternehmensserversystemen der nächsten Generation ermöglichen. Samsung hat bereits sein 8 angekündigtth-gen 1 TB TLC V-NAND auf dem Flash Memory Summit 2022 und dem Samsung Memory Tech Day 2022 sowie dem Erweiterung seiner NAND-Flash-Produktionskapazität in Pyeongtaek, Korea, im Jahr 2020.

Samsung V-NAND der 8. Generation

Samsung gibt an, dass sein V-NAND der 8. Generation dazu beitragen wird, die schnell wachsende Marktnachfrage zu befriedigen und es ihnen ermöglichen wird, einzigartigere Produkte und Lösungen zu entwickeln. Sie konnten diese Bitdichte erreichen, indem sie die Bitproduktivität pro Wafer deutlich steigerten.

Samsung V-NAND-Chippaket der 8. Generation

Mithilfe der neuesten „Toggle DDR 5.0-Schnittstelle“ bietet die neue V-NAND-Technologie von Samsung eine I/O-Geschwindigkeit von bis zu 2.4 Gbit/s, was etwa einer 1.2-fachen Steigerung gegenüber der Vorgängergeneration entspricht. Dadurch kann das neue V-NAND die Leistungsanforderungen und Standards von PCIe 4.0 und PCIe 5.0 (allerdings zu einem späteren Zeitpunkt) unterstützen.

Samsung geht davon aus, dass sein V-NAND der achten Generation dazu beitragen wird, die Speicherkapazität in Unternehmensservern der nächsten Generation zu erweitern. Sie planen außerdem, den Einsatz auch auf den Automobilmarkt auszuweiten.

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