Samsung hat mit der Massenproduktion von 250-GB-SATA-SSDs begonnen, die das 6-GB-1-Bit-V-NAND der 256. Generation (3xx-Layer) des Unternehmens für globale PC-OEMs integrieren. Mit seiner „Channel Hole Etching“-Technologie gibt Samsung an, dass das neue V-NAND etwa 40 % mehr Zellen zur bisherigen 9x-Layer-Single-Stack-Struktur hinzufügt. Dies geschieht durch den Aufbau eines elektrisch leitfähigen Formstapels mit 136 Schichten und anschließendem vertikalen Durchstechen zylindrischer Löcher von oben nach unten, wodurch gleichmäßige 3D-Charge-Trap-Flash-Zellen (CTF) entstehen.
Samsung hat mit der Massenproduktion von 250-GB-SATA-SSDs begonnen, die das 6-GB-1-Bit-V-NAND der 256. Generation (3xx-Layer) des Unternehmens für globale PC-OEMs integrieren. Mit seiner „Channel Hole Etching“-Technologie gibt Samsung an, dass das neue V-NAND etwa 40 % mehr Zellen zur bisherigen 9x-Layer-Single-Stack-Struktur hinzufügt. Dies geschieht durch den Aufbau eines elektrisch leitfähigen Formstapels mit 136 Schichten und anschließendem vertikalen Durchstechen zylindrischer Löcher von oben nach unten, wodurch gleichmäßige 3D-Charge-Trap-Flash-Zellen (CTF) entstehen.
Wenn die Höhe des Formstapels in jedem Zellbereich zunimmt, können Fehler und Schwachstellen bei der Leselatenz auftreten. Um diesem Problem zu begegnen, hat Samsung ein geschwindigkeitsoptimiertes Schaltungsdesign integriert, das es ermöglicht, die schnellste Datenübertragungsgeschwindigkeit zu erreichen: unter 450 μs beim Schreiben und 45 μs beim Lesen. Samsung gibt einen Leistungszuwachs von über 10 % gegenüber der Vorgängergeneration an, bei einer Reduzierung des Stromverbrauchs um mehr als 15 %. Das Unternehmen gibt an, dass das Unternehmen allein durch die Montage von drei der aktuellen Stacks V-NAND-Lösungen der nächsten Generation mit über 300 Schichten anbieten kann, ohne die Chipleistung oder -zuverlässigkeit zu beeinträchtigen.
Samsung hat außerdem die Anzahl der Kanallöcher, die zur Schaffung einer Chipdichte von 256 GB erforderlich sind, auf 670 Millionen Löcher verringert (im Vergleich zu mehr als 930 Millionen bei der vorherigen Generation). Dies ermöglicht geringere Chipgrößen, weniger Prozessschritte und eine über 20-prozentige Verbesserung der Fertigungsproduktivität.
Samsung wird voraussichtlich in der zweiten Jahreshälfte 512 3 GB 2019-Bit-V-NAND-SSDs und eUFS anbieten. Darüber hinaus wird Samsung ab dem nächsten Jahr die Produktion von V-NAND-Lösungen der 6. Generation mit höherer Geschwindigkeit und größerer Kapazität auf dem Campus in Pyeongtaek (Korea) ausweiten Jahr.
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