Samsung hat angekündigt, mit der Massenproduktion des branchenweit ersten 2-Nanometer-Klasse (10y-nm) 1-GB-DDR8-DRAM der zweiten Generation begonnen zu haben. Der neue RAM von Samsung wurde für High-End-Computersysteme von heute und in der Zukunft entwickelt und gilt als der leistungsstärkste und energieeffizienteste 4-GB-DRAM-Chip auf dem Markt, gepaart mit den kleinsten Abmessungen.
Samsung hat angekündigt, mit der Massenproduktion des branchenweit ersten 2-Nanometer-Klasse (10y-nm) 1-GB-DDR8-DRAM der zweiten Generation begonnen zu haben. Der neue RAM von Samsung wurde für High-End-Computersysteme von heute und in der Zukunft entwickelt und gilt als der leistungsstärkste und energieeffizienteste 4-GB-DRAM-Chip auf dem Markt, gepaart mit den kleinsten Abmessungen.
Der 2-Gb-DDR10 der 8-nm-Klasse der 4. Generation bietet einen Produktivitätszuwachs von etwa 30 % gegenüber dem Vorgängergeneration vom April 2016. Darüber hinaus gibt Samsung an, dass seine Leistung und Energieeffizienz aufgrund der fortschrittlichen, proprietären Schaltungsdesigntechnologie des Unternehmens um etwa 10 bzw. 15 Prozent verbessert wurden. Der 2-Gb-DDR8 der 4. Generation kann außerdem mit 3,600 Mbit/s pro Pin betrieben werden, was ebenfalls 400 Mbit/s schneller ist als die vorherige Generation.
Samsung erklärt, dass dies durch den Einsatz neuer Technologien erreicht werden konnte, ohne dass ein EUV-Verfahren eingesetzt werden musste. Diese neue DRAM-Technologie profitierte außerdem von einem hochempfindlichen Zelldatenerfassungssystem, das eine genauere Bestimmung der in jeder Zelle gespeicherten Daten ermöglicht, sowie von einem progressiven „Air Spacer“-Schema, das um die Bitleitungen herum platziert wird, um die Daten erheblich zu reduzieren Parasitäre Kapazität. Dadurch konnte Samsung den Grad der Schaltungsintegration und Fertigungsproduktivität deutlich steigern.
Verfügbarkeit
Samsung hat die Validierung der DDR2-Module der 10-nm-Klasse der 4. Generation mit CPU-Herstellern abgeschlossen und plant, auch mehr seiner Mainstream-DRAM-Module der 1-nm-Klasse der 10. Generation herzustellen.
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