Auf dem Flash Memory Summit (FMS) 2017 kündigte Samsung Electronics Co., Ltd. mehrere neue V-NAND-Speicherlösungen und -Technologien (Vertical NAND) an. Zu diesen neuen Technologien gehören der erste 1-TB-V-NAND-Chip, eine 16-TB-Next-Generation-Small-Form-Factor-SSD (NGSFF), eine Z-SSD mit geringerer Latenz als NVMe und Key-Value-SSD-Technologie. Diese neuen Technologien zielen darauf ab, Probleme wie die Notwendigkeit einer höheren Dichte auf kleinerem Raum, die Zunahme datenintensiver Anwendungen aufgrund künstlicher Intelligenz und Internet-of-Things-Technologien (IoT) sowie die Notwendigkeit immer kürzerer Latenzen anzugehen.
Auf dem Flash Memory Summit (FMS) 2017 kündigte Samsung Electronics Co., Ltd. mehrere neue V-NAND-Speicherlösungen und -Technologien (Vertical NAND) an. Zu diesen neuen Technologien gehören der erste 1-TB-V-NAND-Chip, eine 16-TB-Next-Generation-Small-Form-Factor-SSD (NGSFF), eine Z-SSD mit geringerer Latenz als NVMe und Key-Value-SSD-Technologie. Diese neuen Technologien zielen darauf ab, Probleme wie die Notwendigkeit einer höheren Dichte auf kleinerem Raum, die Zunahme datenintensiver Anwendungen aufgrund künstlicher Intelligenz und Internet-of-Things-Technologien (IoT) sowie die Notwendigkeit immer kürzerer Latenzen anzugehen.
Jedes Jahr veranstaltet Samsung bei FMS einen Tech Day, bei dem das Unternehmen seine neuesten technologischen Entwicklungen vorstellt und festlegt, wie das Unternehmen die Herausforderungen der Datenverarbeitung der nächsten Generation angehen will. In diesem Jahr stellt das Unternehmen eine Vielzahl neuer V-NAND-Technologien vor, die das Spektrum verschiedener Probleme erweitern, mit denen vor allem Unternehmen konfrontiert sind.
Eine interessante Entwicklung in Sachen Dichte ist die Einführung eines 1 TB (Terabit) V-NAND-Chips. Obwohl das Unternehmen dies erstmals erwähnte, als es 3D V-NAND erstmals vorstellte, wurde der technologische Durchbruch erst jetzt realisiert. Samsung ist in der Lage, 16 1-TB-Chips auf einem einzigen Chip zu stapeln, was zu 2 TB in einem einzigen V-NAND-Paket führt. Dadurch wird die Dichte der SSDs erheblich erhöht, ohne dass auf einen größeren Formfaktor umgestellt werden muss. Für Branchen, die nach mehr Dichte bei gleicher Stellfläche suchen, hat Samsung möglicherweise eine Antwort.
Apropos Dichteerhöhungen: Samsung hat auch eine neue NGSFF-SSD mit bis zu 16 TB und Abmessungen von nur 30.5 mm x 110 mm x 4.38 mm vorgestellt. Dieses neue Laufwerk wurde speziell für 1U-Server entwickelt, die mehr Kapazität und höhere IOPS benötigen. Samsung gibt an, dass ein einzelner 1U-Server auf bis zu 576 TB skaliert werden kann (unter Verwendung von 36 der neuen NGSFF-SSDs) oder durch Hinzufügen eines weiteren Servers über 1 PB in einem 2U-Raum verfügen kann. Das Unternehmen behauptet außerdem, dass die kombinierten Laufwerke 10 Millionen IOPS beim zufälligen Lesen erreichen können.
Letztes Jahr stellte Samsung die Z-SSD-Technologie ohne konkrete Details vor. Dieses Jahr hat das Unternehmen ein Z-SSD-Produkt, die SZ985, auf den Markt gebracht, es fehlt jedoch noch eine Erklärung, was es eigentlich ist oder wie es funktioniert. Das neue Laufwerk soll eine Leselatenz von 15 Mikrosekunden haben, was besser ist als bei NVMe-SSDs. Dies wäre für Echtzeitanalysen oder einen wirklich schnellen Server-Cache von großem Vorteil. Was die Technologie oder Z-NAND tatsächlich sein könnte, kann niemand vermuten, da das Unternehmen es sehr ernst nimmt, vielleicht etwas zu sehr, da sich derzeit ein tatsächliches Produkt in der Pipeline befindet.
Schließlich führte Samsung die Key-Value-SSD-Technologie ein, die zu einer effizienteren Verarbeitung komplexer Datensätze führt und die Leistung der vorhandenen NAND-Technologie beschleunigt. Anstatt Daten in zu verarbeitende Blöcke umzuwandeln, weist die Technologie jedem „Wert“ oder Objektdatenstück einen „Schlüssel“ oder eine bestimmte Position zu – unabhängig von seiner Größe. Der Schlüssel ermöglicht die direkte Adressierung eines Datenspeicherorts, was wiederum eine Skalierung des Speichers ermöglicht. Von dieser neuen Technologie würden vor allem Social-Media-Dienste und IoT-Anwendungen profitieren.
Verfügbarkeit
Die V-NAND-Technologie mit 1 TB pro Chip wird voraussichtlich nächstes Jahr verfügbar sein. Samsung will die neuen NGSFF-SSDs im vierten Quartal dieses Jahres in Serie produzieren.
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