Texas Memory Systems stellte sein erstes eMLC-Produkt für Unternehmen vor, das 10 TB Speicher und Tier-0-Leistung mit 4–8 GB/s Bandbreite und 320 zufälligen IOPS bietet. All diese Leistung ist in einem kleinen 1U-Gehäuse untergebracht, dessen Leistungsbedarf nur 250 W beträgt.
Texas Memory Systems stellte sein erstes eMLC-Produkt für Unternehmen vor, das 10 TB Speicher und Tier-0-Leistung mit 4–8 GB/s Bandbreite und 320 zufälligen IOPS bietet. All diese Leistung ist in einem kleinen 1U-Gehäuse untergebracht, dessen Leistungsbedarf nur 250 W beträgt.
- Der weltweit schnellste Speicher®: Anhaltende E/A-Raten von bis zu 320,000 IOPS für Lese- oder Schreibvorgänge und konstante, zufällige Bandbreite von bis zu 4 GB/Sekunde.
- Fehlertoleranter Flash (FTF): Der im RamSan-810 verwendete Flash ist eMLC-Flash der Enterprise-Klasse. Jede Flash-Karte im RamSan-810 verfügt über einen integrierten RAID-Schutz zum Schutz vor Chipfehlern. Darüber hinaus bietet ein fortschrittlicher ECC auf Chipebene mehrere Bitkorrekturbereiche pro Block.
- Series-7 Flash Controller™: Ein Schlüssel zur kompromisslosen Leistung des RamSan-810 ist der Series-7 Flash Controller. Basierend auf leistungsstarken Xilinx-FPGAs und einem PowerPC-Prozessor ist der Flash-Controller der Serie 7 vor Ort aufrüstbar, sodass TMS-Kunden immer die beste Leistung und die neuesten Funktionen erhalten.
- Variable Stripe RAID (VSR)™: VSR ist eine patentierte Technologie, die nur TMS-Kunden zur Verfügung steht und die verschwendete Flugzeuge drastisch reduziert. Wenn eine Ebene ausfällt, erstellt VSR die Daten dieser Ebene automatisch neu und verlagert sie neu. Anschließend können Daten in den Bereich neu geschrieben werden, wobei die Größe des Stripes dynamisch geändert wird, um die ausgefallene Ebene zu vermeiden. Bei herkömmlichen RAID-Systemen wäre der gesamte Stripe unbrauchbar gewesen und alle verbleibenden guten Ebenen wären verloren gegangen.
- 8-Gbit-Fibre-Channel: Der RamSan-810 ist mit neuen 8-Gbit-Fibre-Channel-Controllern mit zwei Ports ausgestattet.
- QDR InfiniBand: Der RamSan-810 kann mit bis zu zwei QDR InfiniBand-Ports ausgestattet werden.
- Active Spare: Eine FTF-Karte kann als Active Spare bezeichnet werden, die Hand in Hand mit dem RAID auf Chipebene arbeitet. Wenn bei einer der Karten ein Fehler auftritt, der den RAID-Schutz beeinträchtigt, migriert das System die Daten auf dieser Karte sofort auf das Hot-Spare, um in einen vollständig redundanten Zustand zurückzukehren.
- Wear Leveling: Der RamSan-810 verfügt über eine Wear-Leveling-Technologie, die die zugrunde liegenden Flash-Medien schützt, indem sie Schreibvorgänge verteilt und die Schreiblebensdauer des Systems maximiert.
- Völlig nichtflüchtig: Flash-Speicher ist von Natur aus nichtflüchtig. Überall dort, wo RAM-Puffer verwendet werden, sind Batterien mit ausreichend Leistung in das Design integriert, um die Puffer mit Flash zu synchronisieren.
- Beispiellose Skalierbarkeit: Ein einzelnes 1U-Gehäuse ermöglicht die Aufrüstung von 2 auf 10 TB Flash-Speicher und zwei Fibre-Channel-Ports oder zwei InfiniBand-Ports. Es können mehrere Einheiten hinzugefügt werden, um jede Kapazitäts- oder Leistungsanforderung zu erfüllen.
- Geringer Stromverbrauch: Der RamSan-810 verbraucht normalerweise nur 250 Watt Leistung.
Der RamSan-810 ist mit einer 8-Gb-Fibre-Channel- oder QDR-InfiniBand-Schnittstelle erhältlich und verfügt über den TMS Series-7 Flash Controller, einen FPGA PowerPC-basierten Chip. Das Produkt ist für eine Lebensdauer von zehn Jahren bei einer Schreibauslastung von 50 TB/Tag ausgelegt.
Der RamSan-810 skaliert um das 40-fache auf 400 TB, 160 GB/s und 12.8 Mio. IOPS in einem 40U-Rack. Der Leistungsbedarf dieses Systems beträgt ebenfalls bis zu 10 kW.
