Toshiba Memory America hat eine neue Reihe von SLC-NAND-Flash-Speicherprodukten für eingebettete Anwendungen angekündigt. Die Serial Interface NAND-Produkte der zweiten Generation des Unternehmens unterstützen die Serial Peripheral Interface (SPI) und können in einer Vielzahl von Anwendungen eingesetzt werden, die Hochgeschwindigkeits-Datenübertragungen erfordern. Die Seriell-Schnittstellen-NAND-Familie der zweiten Generation besteht aus acht Produkten und verfügt über Versorgungsspannungen von 2.70 bis 3.60 V und 1.70 bis 1.95 V
Toshiba Memory America hat die zweite Generation von SLC-NAND-Flash-Speicherprodukten für eingebettete Anwendungen angekündigt. Die Serial Interface NAND-Produkte der zweiten Generation des Unternehmens unterstützen die Serial Peripheral Interface (SPI) und können in einer Vielzahl von Anwendungen eingesetzt werden, die Hochgeschwindigkeits-Datenübertragungen erfordern. Die neue NAND-Reihe mit serieller Schnittstelle umfasst acht Produkte mit Versorgungsspannungen von 2.70 bis 3.60 V und 1.70 bis 1.95 V.
Die neuen Toshiba-Produkte werden mit höheren Geschwindigkeiten (dh 104 MHz bis 133 MHz) im Vergleich zu früheren Generationen angeboten und verfügen über einen neuen Befehl, der Daten für die Programmierung im 4-Bit-Modus (QSPI) lädt. Toshiba gibt an, dass die Hinzufügung eines 8-GB-Geräts auch zu einer verbesserten NAND-Dichte führt.
Hauptmerkmale
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Signaldichte |
1 GB, 2 GB, 4 GB, 8 GB |
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Seitengrößen |
2 KByte (1 GB, 2 GB), 4 KByte (4 GB, 8 GB) |
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Schnittstelle |
Serielle Peripherieschnittstelle Modus 0, Modus 3 |
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Versorgungsspannung |
2.70 bis 3.60 V, 1.70 bis 1.95 V. |
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Betriebstemperaturbereich |
-40 oC bis 85 oC |
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Eigenschaften |
・133 MHz Betriebsfrequenz ・Programmier-/Lese-x4-Modus ・Sequentielle Hochgeschwindigkeits-Lesefunktion ・ECC-Funktion (EIN/AUS, Bit-Flip-Count-Bericht) ・Datenschutzfunktion (kann bestimmte Blöcke schützen) ・Parameterseitenfunktion (kann detaillierte Informationen zum Gerät ausgeben) |
Verfügbarkeit
Muster sind ab sofort verfügbar und die Massenproduktion ist für Oktober geplant.
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