Toshiba Memory Corporation und Western Digital feierten kürzlich die Eröffnung von Fab 6, ihrer neuen Halbleiterfertigungsanlage, und des Memory R&D Center am Standort Yokkaichi in der Präfektur Mie, Japan.
Toshiba Memory Corporation und Western Digital feierten kürzlich die Eröffnung von Fab 6, ihrer neuen Halbleiterfertigungsanlage, und des Memory R&D Center am Standort Yokkaichi in der Präfektur Mie, Japan.
Der Bau der speziellen 3D-Flash-Speicher-Fertigungsanlage begann im Februar 2017 und wurde seitdem mit den neuesten hochmodernen Fertigungsanlagen für Abscheidung, Ätzung und anderen wichtigen Produktionsverfahren ausgestattet. Die Produktion von 96-Layer-3D-Flash-Speichern in der neuen Fabrik begann Anfang dieses Monats. Weitere Investitionen zur Produktionserweiterung werden entsprechend der Marktentwicklung getätigt.
Yokkaichi: Fabelhaft 6
Das neben Fab 6 gelegene Memory R&D Center nahm im März dieses Jahres seinen Betrieb auf und plant, Fortschritte bei der Entwicklung von 3D-Flash-Speichern zu erforschen und zu fördern.
Yokkaichi: Speicher-Forschungs- und Entwicklungszentrum
Toshiba Memory und Western Digital planen, an der Spitze der Speichertechnologie zu bleiben, indem sie aktiv Initiativen zur Stärkung der Wettbewerbsfähigkeit entwickeln, die gemeinsame Entwicklung von 3D-Flash-Speichern vorantreiben und entsprechend den Markttrends Kapitalinvestitionen tätigen.
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