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Intel y Micron ganan la tecnología de memoria flash más innovadora [FMS 2011]

by Brian Beeler

Intel y Micron se llevaron a casa un pequeño premio de la Cumbre de Memoria Flash de este año. El dúo ganó el premio a la tecnología de memoria flash más innovadora por la tecnología de proceso de memoria flash NAND de 20 nm de las empresas. El chip NAND de 20 GB y 8 nm de Intel y Micron ofrece la mayor capacidad en el factor de forma más pequeño.


Intel y Micron se llevaron a casa un pequeño premio de la Cumbre de Memoria Flash de este año. El dúo ganó el premio a la tecnología de memoria flash más innovadora por la tecnología de proceso de memoria flash NAND de 20 nm de las empresas. El chip NAND de 20 GB y 8 nm de Intel y Micron ofrece la mayor capacidad en el factor de forma más pequeño.

El chip de 20 nm y 8 GB mide solo 118 mm y permite una reducción del 30 al 40 por ciento en el espacio de la placa en comparación con los dispositivos NAND de 25 nm y 8 GB existentes. Una reducción en el diseño de almacenamiento flash proporciona una mayor eficiencia a nivel del sistema y proporciona más espacio en dispositivos como tabletas y teléfonos inteligentes para cosas como una batería de mayor capacidad o hardware adicional. 

¿Cuánto más pequeña puede volverse la NAND?

En el espacio SSD en este momento, la mayoría de las unidades de nivel uno se envían con Intel/Micron 25nm NAND, con la excepción de algunas unidades que utilizan Toggle NAND de 32nm de Toshiba. El impulso hacia NAND de 20 nm es el siguiente paso lógico, pero el proceso de reducción del troquel tiene sus límites. La mayoría de los indicadores muestran que las unidades SSD de clientes y empresas migran a 20nm NAND en 2012, con una reducción más en el tamaño a 1Xnm a mediados o finales de 2013. Después de eso, los líderes de la industria como Micron han Tecnologías 3D NAND en proceso, lo que abre enormes oportunidades nuevas en términos de capacidad y rendimiento de la unidad.

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