Intel ha anunciado Optane Persistent Memory 200 Series, el nivel de memoria persistente de alto rendimiento de segunda generación de la compañía para Procesadores escalables Intel Xeon de tercera generación en plataformas de 4 sockets. Se dice que la nueva línea de PMem ofrece un promedio de 25 % más en ancho de banda de memoria en comparación con la última generación, 12-15 vatios de potencia de diseño térmico (TDP), y está disponible en capacidades de hasta 512 GB.

Memoria persistente Intel Optane 200

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Las plataformas optimizadas para procesadores de tercera generación pueden admitir un módulo de la serie Intel Optane PMem 3 por canal (y hasta seis en un solo zócalo), lo que significa que ofrece hasta 200 TB de PMem por zócalo y una capacidad de memoria total (con DRAM) de 3 TB por socket. También cuenta con persistencia de datos para la memoria, donde los datos permanecen en PMem después de reinicios planificados y accidentales. Esto ayuda a eliminar recargas de datos innecesarias para reducir el tiempo de inactividad y reducir las pérdidas por interrupciones del sistema.

Beneficios de Intel Optane 200 PMem Intel indica las siguientes formas en que la serie Intel Optane PMem 200 mejorará las métricas clave del centro de datos:

Aumento de la utilización de la CPU y la utilidad de cada servidor
Mayor rendimiento de la aplicación con más capacidad de memoria
Mayor densidad de VM o compatibilidad con más servicios y usuarios
Compatibilidad con bases de datos en memoria más grandes sin etiquetas de precio prohibitivas
Mejore la resiliencia empresarial para sistemas con datos críticos
Consolide el espacio del servidor, reduzca los costos de licencias de software y maximice el retorno de la inversión empresarial

La serie Intel Optane PMem 200 también aprovecha el cifrado AES-256 transparente a las aplicaciones para los datos en reposo, lo que protege los datos en la memoria persistente sin cambios en el código de software y con un impacto mínimo en el rendimiento.

Intel agrega que la serie Optane PMem 200 ayudará a los usuarios a extraer más datos de conjuntos de datos más grandes, lo que brindará mucha utilidad a cada servidor. Además, las bases de datos en memoria pueden acceder a más datos a "velocidades similares a DRAM" y cargas de trabajo que procesan conjuntos de datos masivos, continuamente sin cargar y almacenar datos localmente repetidamente.

Especificaciones de la serie 200 de memoria persistente Intel Optane

código de referencia (SKU)⁺	128 GB		256 GB		512 GB
CAPACIDAD DE USUARIO⁺	126.7 GiB		253.7 GiB		507.7 GiB

ENDURANCE 100% ESCRIBE 15W 256B	292 peso corporal	497 peso corporal	410 peso corporal
ENDURANCE 67% LEE; 33% ESCRIBE 15W 256B	224 peso corporal	297 peso corporal	242 peso corporal
ENDURANCE 100% ESCRIBE 15W 64B	73 peso corporal	125 peso corporal	103 peso corporal
ENDURANCE 67% LEE; 33% ESCRIBE 15W 64B	56 peso corporal	74 peso corporal	60 peso corporal
ANCHO DE BANDA 100% LEER 15W 256B	7.45 GB / s	8.10 GB / s	7.45 GB / s
ANCHO DE BANDA 67% LEE; 33% ESCRIBE 15W 256B	4.25 GB / s	5.65 GB / s	4.60 GB / s
ANCHO DE BANDA 100% ESCRIBE 15W 256B	2.25 GB / s	3.15 GB / s	2.60 GB / s
ANCHO DE BANDA 100% LEER 15W 64B	1.86 GB / s	2.03 GB / s	1.86 GB / s
ANCHO DE BANDA 67% LEE; 33% ESCRIBE 15W 64B	1.06 GB / s	1.41 GB / s	1.15 GB / s
ANCHO DE BANDA 100% ESCRIBE 15W 64B	0.56 GB / s	0.79 GB / s	0.65 GB / s

FRECUENCIA DDR	2666 MT / s
TDP MÁX.	15W	18W
TEMPERATURA (TJMAX)	≤ 83 °C (85 °C apagado, 83 °C predeterminado) temperatura del medio
TEMPERATURA (AMBIENTE)	48 °C a 2.4 m/s para 12 W
TEMPERATURA (AMBIENTE)	43 °C a 2.7 m/s para 15 W