Micron Technology anuncia la disponibilidad de muestras para el módulo de expansión de memoria Micron CZ120 para clientes y socios. Disponible en capacidades de 128 GB y 256 GB, el factor de forma E3.S 2T CZ120 utiliza una interfaz PCIe Gen5 x8 y es capaz de ejecutar un ancho de banda de lectura/escritura de memoria de hasta 36 GB/s. El módulo mejora el rendimiento del servidor cuando se requiere capacidad de memoria y ancho de banda incrementales.
Micron Technology anuncia la disponibilidad de muestras para el módulo de expansión de memoria Micron CZ120 para clientes y socios. Disponible en capacidades de 128 GB y 256 GB, el factor de forma E3.S 2T CZ120 utiliza una interfaz PCIe Gen5 x8 y es capaz de ejecutar un ancho de banda de lectura/escritura de memoria de hasta 36 GB/s. El módulo mejora el rendimiento del servidor cuando se requiere capacidad de memoria y ancho de banda incrementales.
Los módulos CZ120 utilizan los estándares Compute Express Link (CXL) y son compatibles con el estándar CXL 2.0 Tipo 3. Micron cree que los módulos CZ120 acelerarán la adopción de CXL 2.0 al aprovechar una arquitectura de memoria de doble canal, que ofrece una mayor capacidad de módulo y un mayor ancho de banda. La mayor capacidad de memoria beneficia las cargas de trabajo como el entrenamiento de IA y el modelado de inferencias, las aplicaciones SaaS, las bases de datos en memoria, la computación de alto rendimiento y las cargas de trabajo de propósito general que se ejecutan en un hipervisor local o en la nube.
Los módulos de expansión de memoria basados en CXL de alta capacidad de Micron brindan la flexibilidad para crear servidores que satisfagan las demandas de carga de trabajo de las aplicaciones con más capacidad de memoria y menor latencia. Esto da como resultado hasta un 96 % más de consultas de base de datos por día y un 24 % más de ancho de banda de lectura/escritura de memoria por CPU que los servidores que usan solo memoria RDIMM.
Los módulos de expansión de memoria Micron CZ256 de 120 GB brindan a los proveedores de software independientes, proveedores de servicios en la nube, fabricantes de equipos originales y fabricantes de diseños originales la capacidad de construir servidores con hasta 2 TB de capacidad de memoria incremental. La capacidad adicional significa un mejor rendimiento y un mayor ancho de banda de memoria sin necesidad de implementar más servidores. Al mejorar el uso de recursos informáticos y de memoria para aplicaciones empresariales y en la nube, las organizaciones pueden reducir sus gastos operativos y de capital para sus aplicaciones de centro de datos.
Productos Destacados
- Aprovecha el proceso de producción de DRAM de alto volumen
- Arquitectura de memoria de doble canal para mayor ancho de banda
- Expansión de memoria incremental de hasta 2 TB por CPU
Características
- Raíz de confianza segura y arranque seguro
- Gestión de dispositivos de banda lateral
- RAS del centro de datos
- SECDED, SDDC ECC
- Corrección de errores del dispositivo DRAM basado en Reed-Solomon
- Gestión de reparaciones post-paquete
Especificaciones del módulo de expansión de memoria CZ120
| Capacidad | 128GB / 256GB |
| CXL | 2 |
| Factor de forma | E3.S 2T |
| Interfaz de host | PCIe Gen5 x8 |
| Tiempo medio entre fallos (MTBF) | 3 millones de horas |
| Poder (típico) | 27W / 31W |
| Ancho de banda del módulo | Hasta 36 GB/s |
Casos de uso para la expansión de memoria basada en CXL
Las cargas de trabajo se limitan cada vez más a la memoria, y el uso de módulos de expansión de memoria basados en CXL resuelve este desafío al agregar capacidad de memoria y ancho de banda. Las cargas de trabajo de análisis de datos e inteligencia artificial y aprendizaje automático se benefician de la capacidad y el ancho de banda ampliados. Las bases de datos en memoria y las cargas de trabajo de cómputo de propósito general se beneficiarán de la expansión de la capacidad, mientras que las cargas de trabajo de cómputo de alto rendimiento verán un mejor rendimiento del ancho de banda ampliado.
Los clientes y socios calificados inscritos en el Programa de habilitación de tecnología (TEP) de Micron pueden confiar en la colaboración, la calidad y el soporte de Micron. Los beneficios adicionales de TEP incluyen soporte práctico para ayudar en el desarrollo de diseños habilitados para CXL, recursos técnicos como hojas de datos y modelos eléctricos y térmicos para ayudar en el desarrollo y evaluación de productos, y consultas de ingeniería relacionadas con la integridad de la señal y otros temas de soporte técnico. .
Según Siva Makineni, vicepresidente de Micron Advanced Memory Systems Group, han estado desarrollando y probando los módulos CZ120 utilizando plataformas Intel y AMD capaces de admitir el estándar CXL. Él cree que los esfuerzos de colaboración impulsarán una aceptación más rápida del nuevo estándar CXL 2.0 a medida que sigan creciendo las demandas de centros de datos y cargas de trabajo con uso intensivo de memoria.
AMD ha declarado que ha validado la memoria Micron en múltiples plataformas con procesadores AMD EPYC y ha ampliado los esfuerzos conjuntos para incluir el nuevo módulo de expansión de memoria Micron CZ120. Las pruebas de AMD con su procesador EPYC 9754 muestran resultados impresionantes en el rendimiento de referencia de TPC-H en comparación con solo DRAM.
A medida que las organizaciones exploran más formas de reducir costos y seguir ofreciendo tecnología de servidor de alto rendimiento que puede satisfacer las demandas de las cargas de trabajo modernas, CXL ofrece una solución arquitectónica rentable, flexible y escalable. Para mantener la flexibilidad y la escalabilidad, los servidores deberán estar compuestos dinámicamente para satisfacer las demandas de las cargas de trabajo modernas y emergentes, como la IA y el aprendizaje profundo.
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