Samsung ha comenzado a producir en masa su quinta generación de memoria 90D TLC NAND V-NAND de 256 capas y 3 Gb como la primera empresa de la industria en utilizar la interfaz Toggle DDR 4.0. La compañía continuó diciendo que, debido a esta nueva interfaz, la velocidad de transmisión de datos entre el almacenamiento y la memoria a través de su nuevo V-NAND alcanzó la friolera de 1.4 Gbps, lo que representa una mejora del 40 % con respecto al predecesor de 64 capas de Samsung. Además, debido a las mejoras en el proceso de deposición de capas atómicas de V-NAND, Samsung pudo aumentar la productividad de fabricación en aproximadamente un 30 % y reducir la altura de cada capa de celdas en un 20 %.
Samsung ha comenzado a producir en masa su quinta generación de memoria 90D TLC NAND V-NAND de 256 capas y 3 Gb como la primera empresa de la industria en utilizar la interfaz Toggle DDR 4.0. La compañía continuó diciendo que, debido a esta nueva interfaz, la velocidad de transmisión de datos entre el almacenamiento y la memoria a través de su nuevo V-NAND alcanzó la friolera de 1.4 Gbps, lo que representa una mejora del 40 % con respecto al predecesor de 64 capas de Samsung. Además, debido a las mejoras en el proceso de deposición de capas atómicas de V-NAND, Samsung pudo aumentar la productividad de fabricación en aproximadamente un 30 % y reducir la altura de cada capa de celdas en un 20 %.
Incluso con este aumento significativo en el rendimiento, Samsung afirma que el nuevo V-NAND sigue siendo comparable a la eficiencia energética de 64 capas, ya que el voltaje operativo se ha reducido de 1.8 voltios a 1.2 voltios. Además, Samsung agrega que su V-NAND de próxima generación tiene la velocidad de escritura de datos más rápida de la industria a 500 μs (una mejora del 30 % con respecto a la generación anterior). También pudieron reducir los tiempos de respuesta de la señal de lectura a 50 μs.
Dentro del nuevo V-NAND de 5.ª generación de Samsung hay más de 90 capas de celdas 3D de trampa de carga (CTF) apiladas firmemente en una estructura piramidal con orificios de canal microscópicos (unos cientos de metros de ancho) perforados verticalmente en todas partes. Estos agujeros de canal también contienen más de 85 mil millones de celdas CTF, que pueden almacenar tres bits de datos cada una.
Espere que Samsung comience a aumentar la producción de su V-NAND de quinta generación muy pronto, ya que planea satisfacer una variedad de necesidades de mercado diferentes, que incluyen supercomputación, servidores empresariales y las últimas aplicaciones móviles.
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