SanDisk y Toshiba han anunciado que esperan comenzar los envíos de volumen de 15nm NAND en la segunda mitad de este año. Hasta ahora, la calidad de producción NAND se ha deslizado en gran medida hasta el rango de 19/20 nm. La empresa conjunta llevará la tecnología flash de 15nm a arquitecturas de memoria flash NAND de dos bits por celda y tres bits por celda. El trabajo se realizará en Fab 5, reemplazando la fabricación NAND de 19nm. Actualmente se está construyendo una segunda etapa de Fab 5 que también manejará NAND de 15 nm.
SanDisk y Toshiba han anunciado que esperan comenzar los envíos de volumen de 15nm NAND en la segunda mitad de este año. Hasta ahora, la calidad de producción NAND se ha deslizado en gran medida hasta el rango de 19/20 nm. La empresa conjunta llevará la tecnología flash de 15nm a arquitecturas de memoria flash NAND de dos bits por celda y tres bits por celda. El trabajo se realizará en Fab 5, reemplazando la fabricación NAND de 19nm. Actualmente se está construyendo una segunda etapa de Fab 5 que también manejará NAND de 15 nm.
SanDisk llama al nodo de proceso "el más avanzado de la industria... lo que nos permite ofrecer los chips de 128 gigabits más pequeños y rentables del mundo". La empresa está aprovechando las innovaciones de proceso y diseño para escalar los chips a lo largo de ambos ejes. Además, SanDisk está incorporando su arquitectura All-Bit-Line (ABL) que alberga sus propios algoritmos de programación y esquemas de gestión de almacenamiento sin afectar el rendimiento o la confiabilidad. se espera que tengan el mismo rendimiento de escritura que la tecnología de 19 nm, pero con una tasa de transferencia de datos un 30 % más rápida gracias a una nueva interfaz de mayor velocidad.
Si bien los detalles son escasos más allá de los aspectos destacados de la tecnología, SanDisk y Toshiba esperan utilizar NAND de 15 nm en todas sus soluciones flash, desde tarjetas de memoria hasta soluciones SSD empresariales.
