Texas Memory Systems presentó su primer producto eMLC empresarial con 10 TB de almacenamiento y rendimiento de nivel 0 con un ancho de banda de 4 a 8 GB/s y 320 1 IOPS aleatorias. Todo este rendimiento viene empaquetado en un pequeño chasis de 250U con requisitos de alimentación de solo XNUMX W.
Texas Memory Systems presentó su primer producto eMLC empresarial con 10 TB de almacenamiento y rendimiento de nivel 0 con un ancho de banda de 4 a 8 GB/s y 320 1 IOPS aleatorias. Todo este rendimiento viene empaquetado en un pequeño chasis de 250U con requisitos de alimentación de solo XNUMX W.
- El almacenamiento más rápido del mundo®: velocidades de E/S sostenidas de hasta 320,000 4 IOPS para lecturas o escrituras y ancho de banda aleatorio sostenido de hasta XNUMX GB/segundo.
- Flash tolerante a fallas (FTF): el flash utilizado en el RamSan-810 es eMLC Flash de nivel empresarial. Cada tarjeta Flash en el RamSan-810 incluye protección RAID integrada para proteger contra fallas del chip. Además, un ECC avanzado a nivel de chip proporciona varias regiones de corrección de bits por bloque.
- Series-7 Flash Controller™: Una de las claves del rendimiento sin concesiones de la RamSan-810 es el Series-7 Flash Controller. Basado en FPGA Xilinx de alto rendimiento y un procesador PowerPC, el controlador Flash Serie 7 se puede actualizar en el campo, lo que garantiza que los clientes de TMS siempre tendrán el mejor rendimiento y las funciones más recientes.
- Variable Stripe RAID (VSR)™: VSR es una tecnología patentada solo disponible para los clientes de TMS que reduce drásticamente los aviones desperdiciados. Si un avión falla, VSR automáticamente reconstruye y reubica los datos de ese avión. Luego permite que los datos se reescriban en el área, alterando dinámicamente el tamaño de la franja para evitar el avión fallido. Bajo los esquemas RAID tradicionales, toda la franja habría quedado inutilizable y todos los planos buenos restantes se habrían perdido.
- Canal de fibra de 8 Gbit: la RamSan-810 viene con nuevos controladores de canal de fibra de 8 Gbit con dos puertos.
- QDR InfiniBand: la RamSan-810 se puede equipar con hasta dos puertos QDR InfiniBand.
- Repuesto activo: una tarjeta FTF se puede designar como un repuesto activo que funciona de la mano con el RAID de nivel de chip. Si una de las tarjetas experimenta una falla que degrada su protección RAID, el sistema migrará inmediatamente los datos de esa tarjeta al repuesto dinámico para volver a un estado completamente redundante.
- Nivelación de desgaste: el RamSan-810 incluye tecnología de nivelación de desgaste que protege los medios Flash subyacentes mediante la distribución de escrituras y la maximización de la vida útil de escritura del sistema.
- Completamente no volátil: la memoria flash es inherentemente no volátil. Las baterías se incorporan al diseño en cualquier lugar donde se utilicen búferes de RAM con suficiente potencia para sincronizar los búferes con Flash.
- Escalabilidad sin igual: un solo chasis de 1U se actualiza de 2 a 10 TB de almacenamiento Flash y dos puertos Fibre Channel o dos puertos InfiniBand. Se pueden agregar varias unidades para cumplir con cualquier requisito de capacidad o rendimiento.
- Bajo consumo de energía: el RamSan-810 generalmente usa solo 250 vatios de energía.
El RamSan-810 está disponible con una interfaz Fibre Channel o QDR InfiniBand de 8 Gb y cuenta con el controlador flash TMS Series-7, un chip basado en FPGA PowerPC. El producto está clasificado para una vida útil de diez años con una carga de trabajo de escritura de 50 TB/día.
El RamSan-810 escala 40x a 400 TB, 160 GB/s y 12.8 millones de IOPS en un rack de 40U. Los requisitos de energía en este sistema también aumentan hasta 10 KW.
