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Toshiba annonce sa mémoire de classe de stockage, XL-FLASH

by Adam Armstrong

Toshiba memory America, Inc. a annoncé aujourd'hui le lancement de sa solution Storage Class Memory (SCM), XL-FLASH. XL-FLASH est basé sur la technologie de mémoire flash 3D BiCS FLASH de Toshiba avec SLC 1 bit par cellule. La nouvelle technologie SCM vise à apporter des performances élevées à l'entreprise tout en réduisant la latence de manière rentable. 


Toshiba memory America, Inc. a annoncé aujourd'hui le lancement de sa solution Storage Class Memory (SCM), XL-FLASH. XL-FLASH est basé sur la technologie de mémoire flash 3D BiCS FLASH de Toshiba avec SLC 1 bit par cellule. La nouvelle technologie SCM vise à apporter des performances élevées à l'entreprise tout en réduisant la latence de manière rentable. 

Qu'est-ce que Toshiba XL-FLASH ?

La mémoire de classe de stockage est également appelée mémoire persistante (ou, comme nous l'appelons souvent, PMEM). SCM a la capacité de conserver des contenus similaires à NAND mais du point de vue des performances, se situe dans l'espace entre DRAM et NAND. La DRAM apporte toujours des performances beaucoup plus rapides, mais à un prix qui ne semble pas diminuer de si tôt. SCM ajoute une nouvelle couche ou un nouveau niveau à la hiérarchie de stockage à un coût abordable. SCM apporte également des capacités de stockage plus élevées que la DRAM et des vitesses plus élevées (avec une latence réduite) que la 3D NAND. 

Les caractéristiques clés incluent:

  • Dé 128 gigabits (Gb) (dans un boîtier à 2, 4 et 8 puces)
  • Taille de page de 4 Ko pour des lectures et des écritures plus efficaces du système d'exploitation
  • Architecture à 16 plans pour un parallélisme plus efficace
  • Lecture rapide des pages et temps de programmation. XL-FLASH offre une faible latence de lecture inférieure à 5 microsecondes, environ 10 fois plus rapide que le TLC existant

Le déploiement initial du XL-FLASH de Toshiba verra les formats SSD. Cependant, à l'avenir, le SCM pourrait potentiellement accéder au canal mémoire situé sur le bus DRAM, similaire à un NVDIMM. Toshiba s'appuiera sur sa longue histoire de NAND (comme ils prétendent avoir inventé la NAND et annoncé la mémoire flash 3D en premier) sur le marché SCM. 

Disponibilité

Toshiba commencera à échantillonner XL-FLASH en septembre, la production de masse devant démarrer en 2020. 

Mémoire Toshiba

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