Samsung ha annunciato oggi, in occasione dell'evento annuale Tech Day, il rilascio delle sue prossime generazioni di tecnologie di memoria NAND SSD e DRAM. Inoltre, Samsung Foundry ha annunciato di aver avviato la produzione del processo LLP da 7 nm basato su EUV, sostenendo di fornire un aumento fino al 40% dell’efficienza dell’area con prestazioni superiori del 20% o un consumo energetico inferiore del 50%, con conseguenti rendimenti migliori con meno strati.
Samsung ha annunciato oggi, in occasione dell'evento annuale Tech Day, il rilascio delle sue prossime generazioni di tecnologie di memoria NAND SSD e DRAM. Inoltre, Samsung Foundry ha annunciato di aver avviato la produzione del processo LLP da 7 nm basato su EUV, sostenendo di fornire un aumento fino al 40% dell’efficienza dell’area con prestazioni superiori del 20% o un consumo energetico inferiore del 50%, con conseguenti rendimenti migliori con meno strati.
Al Samsung Tech Day sono stati svelati:
- Nodo di processo EUV da 7 nm - Rilasciato da Foundry Business di Samsung, il nodo di processo EUV da 7 nm mira a incrementi significativi in termini di potenza, prestazioni e area, consentendo miglioramenti di applicazioni come 5G, intelligenza artificiale, data center aziendali e iperscale, IoT, settore automobilistico e reti.
- SmartSSD: un SSD FPGA (field programmable gate array) che offre un'elaborazione dei dati accelerata e la possibilità di bypassare i limiti della CPU del server.
- QLC-SSD – Un SSD progettato per aziende e data center, che offre il 33% in più di spazio di archiviazione per cella rispetto a TLC-SSD, consolidando le impronte di archiviazione e migliorando il costo totale di proprietà (TCO)
- RDIMM (modulo di memoria doppio in linea registrato) 256DS da 3 gigabyte (stacking tridimensionale) - Basato sulla DRAM DDR3 da 10 gigabit di classe 16 nm che ridurrà il consumo energetico e migliorerà le prestazioni raddoppiando la sua attuale capacità massima.
La tecnologia del processo 7LPP EUV offre grandi progressi nella fabbricazione dei semiconduttori, tra cui una riduzione massima dell'area del 40%, una riduzione della potenza dinamica fino al 50% e un aumento delle prestazioni fino al 20% rispetto ai processi a 10 nm.
Attraverso prodotti come il nuovo SmartSSD, QLC-SSD, 256DS RDIMM da 3 GB e High Bandwidth Memory 2 Aquabolt, Samsung consente ai fornitori più avanzati di elaborazione server-less. Questi prodotti mirano a consentire una scalabilità più rapida delle operazioni del data center, risparmiando sui costi accelerando l'elaborazione dei dati, aggirando i limiti della CPU del server e riducendo le richieste di energia.
Nei prodotti di memoria flash Samsung sono inclusi anche Key Value (KV)-SSD e Z-SSD. KV-SSD aumenterà l'efficienza nello storage a blocchi riducendo al contempo la latenza e consentendo alle prestazioni del data center di scalare in modo uniforme quando le architetture della CPU raggiungono il massimo. D'altra parte, lo Z-SSD, con doppia porta ad alta disponibilità, bassa latenza e fattore di forma U.2, mira ad essere in cima alla classifica quando si tratta di velocità della memoria flash. Lo Z-SSD presenterà anche un'interfaccia PCIe Gen 4 con lettura sequenziale da 12 GB/s.
Il display AI del Tech Day ha evidenziato le velocità di trasferimento di 16 Gb GDDR6 (64 GB/s), la bassa latenza dello Z-SSD e le prestazioni di Aquabolt, la più alta soluzione di memoria basata su DRAM attualmente disponibile sul mercato. Queste soluzioni mirano ad offrire nuove opportunità ai clienti aziendali e data center di Samsung nell’apprendimento delle applicazioni.
Anche la DRAM per server DDR1 da 8 Gb D4Y era uno dei prodotti aziendali in mostra al Tech Day. Questo prodotto incorpora un processo DRAM più avanzato che si traduce in un consumo energetico inferiore. Inoltre, il 256DS RDIMM da 3 GB di Samsung aiuta a migliorare le prestazioni e abilitare server ad alta intensità di memoria con capacità fino a 16 TB.
Oltre a ciò, Samsung offre prestazioni da 10 GB/s tramite il suo SSD dual-ort x4 PCIe Gen 4 da 32 TB. Il KV-SSD di Samsung consente di scalare le prestazioni del server anche quando le architetture della CPU raggiungono il massimo, fornendo miglioramenti e scalabilità del fattore di amplificazione di scrittura (WAF) e garantendo allo stesso tempo un TCO competitivo. Infine, il QLC-SSD da 1 TB, rispetto alle unità disco rigido, presenta un'opzione di archiviazione avanzata per i clienti aziendali.
QLC-SSD, Z-SSD e Aquabolt da 8 GB di Samsung consentono ai clienti del computing ad alte prestazioni di superare le barriere prestazionali. Si dice che l'8GB abbia un totale di 307GB/s per cubo HBM, il che lo renderebbe una soluzione di memoria basata su DRAM incredibilmente veloce e con le prestazioni più elevate disponibili. Sia QLC-SSD che Z-SSD sono offerti anche in una soluzione di archiviazione a più livelli, con un conseguente aumento del 53% delle prestazioni del sistema.
Gli SmartSSD di Samsung aumentano l'efficienza e la velocità, riducendo efficacemente i costi operativi. Il nuovo SmartSSD supererà i problemi di latenza e consumo energetico incorporando un acceleratore FPGA nell'unità SSD, consentendo un'elaborazione dei dati più rapida bypassando i limiti della CPU del server. Gli SmartSSD avranno quindi prestazioni scalabili e di elaborazione più elevate, una migliore deduplica e compressione, più VM, un migliore time-to-insight e meno CPU per sistema.
Samsung afferma che continuerà a innovare e ad alzare il livello delle tecnologie dei semiconduttori, come ha dimostrato attraverso la V-NAND di sesta generazione costruita su un'unica struttura o con la "tecnologia 1-stack" e un sub-10 nm. DRAM con EUB per densità e prestazioni elevatissime, che afferma di aprire la strada a 3 nm entro il 2020.
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