Samsung Electronics Co., Ltd. ha lanciato lo Small Form Factor (NGSFF) di nuova generazione con la massima capacità, un SSD NF8 da 1 TB. Progettato per il data center, il nuovo SSD NF8 da 1 TB è ottimizzato per applicazioni di virtualizzazione e analisi ad alta intensità di dati. L'azienda prosegue affermando che i clienti possono inserire fino a 72 unità NF1 in uno spazio 2U e con 8 TB possono raggiungere una densità di 576 TB.
Samsung Electronics Co., Ltd. ha lanciato lo Small Form Factor (NGSFF) di nuova generazione con la massima capacità, un SSD NF8 da 1 TB. Progettato per il data center, il nuovo SSD NF8 da 1 TB è ottimizzato per applicazioni di virtualizzazione e analisi ad alta intensità di dati. L'azienda prosegue affermando che i clienti possono inserire fino a 72 unità NF1 in uno spazio 2U e con 8 TB possono raggiungere una densità di 576 TB.
Per raggiungere la soglia degli 8 TB in un ingombro di 11 cm x 3.05 cm, Samsung ha costruito i nuovi SSD con 16 dei suoi pacchetti NAND da 512 GB, ciascuno dei quali è stato impilato in 16 strati di chip V-NAND da 256 Gb a 3 bit. Ciò raddoppia la capacità del comune fattore di forma M.2 (sebbene abbia un ingombro leggermente maggiore poiché M.2 è 11 cm x 2.2 cm) utilizzato nei server iperscala e nei dispositivi mobili ultrasottili. Samsung ritiene che gli SSD NF1 possano sostituire gli SSD NVMe da 2.5 pollici poiché possono aumentare notevolmente la densità nello stesso fattore di forma.
Gli aumenti di densità sono un'ottima funzionalità da portare con sé, ma gli utenti desiderano prestazioni uguali o migliori prima di uscire e iniziare a tirare fuori le vecchie unità. Samsung presenta anche un nuovissimo controller ad alte prestazioni nell'SSD NF1. Il controller supporta il protocollo NVMe 1.3 e l'interfaccia PCIe 4.0, offrendo velocità di lettura sequenziale di 3,100 MB/s e velocità di scrittura di 2,000 MB/s e velocità casuali di 500 IOPS in lettura e 50 IOPS in scrittura. Samsung afferma che sfruttando gli SSS NF1 in un server aziendale è possibile raggiungere oltre 1 milione di IOPS in un ingombro di 2U. L'NF1 include anche una DRAM LPDDR12 da 4 GB per consentire un'elaborazione dei dati più rapida ed efficiente dal punto di vista energetico.
Per quanto riguarda la resistenza, Samsung afferma che il suo SSD NF1 NVMe può raggiungere 1.3 DWPD o la capacità di scrivere 8 TB di dati 1.3 volte al giorno per il periodo di garanzia di 3 anni. Entro la fine dell'anno, l'azienda accompagnerà il suo SSD basato su V-NAND a 256 bit e 3 Gb con una versione da 512 Gb per ospitare, come afferma, un'elaborazione ancora più veloce per le applicazioni big data, accelerando al tempo stesso la crescita nelle aziende e nei sistemi aziendali di prossima generazione. data center di fascia media
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