Al Flash Memory Summit (FMS) 2017, Samsung Electronics Co., Ltd. ha annunciato diverse nuove soluzioni e tecnologie di memoria V-NAND (Vertical NAND). Queste nuove tecnologie includono il primo chip V-NAND da 1 TB, un SSD Next Generation Small Form Factor (NGSFF) da 16 TB, un Z-SSD con latenza inferiore rispetto a NVMe e la tecnologia SSD Key Value. Queste nuove tecnologie mirano ad affrontare questioni come la necessità di una maggiore densità con un ingombro ridotto, l’aumento di applicazioni ad alta intensità di dati dovuto all’intelligenza artificiale e alle tecnologie Internet of Things (IoT) e la necessità di latenze sempre più basse.
Al Flash Memory Summit (FMS) 2017, Samsung Electronics Co., Ltd. ha annunciato diverse nuove soluzioni e tecnologie di memoria V-NAND (Vertical NAND). Queste nuove tecnologie includono il primo chip V-NAND da 1 TB, un SSD Next Generation Small Form Factor (NGSFF) da 16 TB, un Z-SSD con latenza inferiore rispetto a NVMe e la tecnologia SSD Key Value. Queste nuove tecnologie mirano ad affrontare questioni come la necessità di una maggiore densità con un ingombro ridotto, l’aumento di applicazioni ad alta intensità di dati dovuto all’intelligenza artificiale e alle tecnologie Internet of Things (IoT) e la necessità di latenze sempre più basse.
Ogni anno all'FMS, Samsung organizza un Tech Day che le consente di mostrare i suoi ultimi sviluppi tecnologici e di definire come affronterà le sfide dell'elaborazione dati di prossima generazione. Quest'anno l'azienda presenta un'ampia varietà di nuove tecnologie V-NAND che ampliano la gamma di varie problematiche che riguardano principalmente le aziende.
Uno sviluppo interessante in termini di densità è l'introduzione di un chip V-NAND da 1 Tb (terabit). Sebbene l'azienda ne abbia parlato inizialmente quando ha presentato per la prima volta 3D V-NAND, la svolta tecnologica è stata realizzata solo ora. Samsung è in grado di impilare 16 chip da 1 TB su un singolo die, ottenendo 2 TB in un singolo pacchetto V-NAND. Ciò aumenterà notevolmente la densità degli SSD senza passare a un fattore di forma più grande. Per le industrie che cercano una maggiore densità a parità di ingombro, Samsung potrebbe avere una risposta per loro.
Parlando di aumenti di densità, Samsung ha anche introdotto un nuovo SSD NGSFF fino a 16 TB e misura solo 30.5 mm x 110 mm x 4.38 mm. Questa nuova unità è progettata specificamente per server 1U che necessitano di maggiore capacità e IOPS più elevati. Samsung afferma che un singolo server 1U può essere scalato fino a 576 TB (utilizzando 36 dei nuovi SSD NGSFF) o avere oltre 1 PB in uno spazio 2U aggiungendo un altro server. L'azienda afferma inoltre che le unità combinate possono raggiungere 10 milioni di IOPS in lettura casuale.
L'anno scorso Samsung ha introdotto la tecnologia Z-SSD senza dettagli reali. Quest'anno l'azienda presenta un prodotto Z-SSD, l'SZ985, ma manca ancora la spiegazione di cosa sia realmente o come funzioni. Si dice che la nuova unità abbia 15 microsecondi di latenza di lettura, migliore degli SSD NVMe. Ciò sarebbe estremamente vantaggioso per l'analisi in tempo reale o per una cache del server davvero veloce. Qualcuno può immaginare quale possa essere effettivamente la tecnologia o Z-NAND, dato che l'azienda se la sta tenendo stretta, forse un po' troppo da vicino dato che a questo punto c'è un prodotto reale in cantiere.
Infine, Samsung ha introdotto la tecnologia SSD Key Value, che si traduce in un modo più efficiente di elaborare set di dati complessi, rendendo la tecnologia NAND esistente più veloce. Invece di convertire i dati in blocchi da elaborare, la tecnologia assegna una “chiave” o una posizione specifica a ciascun “valore” o porzione di dati oggetto, indipendentemente dalla sua dimensione. La chiave consente l'indirizzamento diretto di una posizione di dati, che a sua volta consente di ridimensionare lo spazio di archiviazione. Questa nuova tecnologia andrebbe a vantaggio principalmente dei servizi di social media e delle applicazioni IoT.
Disponibilità
Si prevede che la tecnologia V-NAND da 1 TB per chip sarà disponibile il prossimo anno. Samsung intende produrre in serie i nuovi SSD NGSFF nel quarto trimestre di quest'anno.
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