SanDisk e Toshiba hanno annunciato che prevedono di iniziare le spedizioni in volume di NAND a 15 nm nella seconda metà di quest'anno. Finora la qualità della produzione NAND è in gran parte scesa alla gamma 19/20 nm. La joint venture estenderà la tecnologia flash da 15 nm alle architetture di memoria flash NAND a due bit per cella e a tre bit per cella. Il lavoro verrà svolto nella Fab 5, sostituendo la fabbricazione NAND da 19 nm. Una seconda fase della Fab 5 è attualmente in costruzione e gestirà anche la NAND da 15 nm.
SanDisk e Toshiba hanno annunciato che prevedono di iniziare le spedizioni in volume di NAND a 15 nm nella seconda metà di quest'anno. Finora la qualità della produzione NAND è in gran parte scesa alla gamma 19/20 nm. La joint venture estenderà la tecnologia flash da 15 nm alle architetture di memoria flash NAND a due bit per cella e a tre bit per cella. Il lavoro verrà svolto nella Fab 5, sostituendo la fabbricazione NAND da 19 nm. Una seconda fase della Fab 5 è attualmente in costruzione e gestirà anche la NAND da 15 nm.
SanDisk definisce il nodo di processo "il più avanzato del settore... consentendoci di fornire i chip da 128 gigabit più piccoli ed economici al mondo". L'impresa sta sfruttando innovazioni di processo e di progettazione per scalare i chip lungo entrambi gli assi. Inoltre, SanDisk sta incorporando la propria architettura All-Bit-Line (ABL) che ospita i propri algoritmi di programmazione e schemi di gestione dello storage senza influire sulle prestazioni o sull'affidabilità. I nuovi chip flash dovrebbero garantire le stesse prestazioni di scrittura della tecnologia a 19 nm, ma con una velocità di trasferimento dati più veloce del 30% grazie a una nuova interfaccia a velocità più elevata.
Sebbene i dettagli siano scarsi oltre i punti salienti della tecnologia, SanDisk e Toshiba prevedono di utilizzare NAND da 15 nm in tutte le loro soluzioni flash, dalle schede di memoria alle soluzioni SSD aziendali.
