Toshiba America Electronic Components, Inc. (TAEC) ha annunciato oggi la linea di prodotti SSD (Solid State Drive) di prossima generazione BGA (ball grid array) basata sull'ultima tecnologia Toshiba TLC a 64 strati e 3 bit per cella (tripla cella a due livelli) BiCS FLASH, serie BG3. La nuova serie è progettata per l'archiviazione mobile con i vantaggi di prestazioni più elevate in un ingombro ridotto rispetto ai tradizionali dispositivi SATA. Un altro aspetto importante dell'uso mobile affrontato dalla serie BG3 è il consumo di energia; la nuova tecnologia ha un design conveniente senza DRAM per ridurre i requisiti di alimentazione.
Toshiba America Electronic Components, Inc. (TAEC) ha annunciato oggi la linea di prodotti SSD (Solid State Drive) di prossima generazione BGA (ball grid array) basata sull'ultima tecnologia Toshiba TLC a 64 strati e 3 bit per cella (tripla cella a due livelli) BiCS FLASH, serie BG3. La nuova serie è progettata per l'archiviazione mobile con i vantaggi di prestazioni più elevate in un ingombro ridotto rispetto ai tradizionali dispositivi SATA. Un altro aspetto importante dell'uso mobile affrontato dalla serie BG3 è il consumo di energia; la nuova tecnologia ha un design conveniente senza DRAM per ridurre i requisiti di alimentazione.
Il design senza DRAM è ottenuto sfruttando la funzionalità Host Memory Buffer (HMB) nella revisione NVMe 1.2.1. Ciò consente prestazioni più elevate senza il consumo di energia dalla DRAM integrata. Ciò consente anche un SSD molto potente in un fattore di forma molto più piccolo, rendendolo una possibile alternativa all'archiviazione di avvio del server, che a sua volta potrebbe consentire una maggiore capacità di archiviazione o connettività sul server. Le dimensioni più piccole sono ideali anche per i notebook ultrasottili poiché la serie BG3 crea SSD alti solo 1.3 mm e consumano complessivamente meno energia.
La serie BG3 è offerta in tre capacità: 128 GB, 256 GB e 512 GB. La serie è offerta con fattore di forma BGA a montaggio superficiale (M.2 1620) o con modulo rimovibile (M.2 2230). Dal punto di vista delle prestazioni, la nuova serie utilizza PCI Express (PCIe) Gen3 x2 lane e architettura NVMe Revision 1.2.1 per una velocità indicata fino a 1520 MB/s in lettura sequenziale (2.7 volte la larghezza di banda massima teorica di SATA 6 Gbit/s) e fino a Scrittura sequenziale da 840 MB/s (1.5 volte la larghezza di banda massima teorica di SATA 6 Gbit/s). La nuova serie presenterà anche una cache SLC per aiutare ad accelerare i carichi di lavoro di tipo burst. Saranno disponibili anche opzioni di unità con crittografia automatica (SED) con TCG Opal versione 2.01.
Disponibilità
La serie BG3 è attualmente in fase di campionamento presso clienti selezionati. Toshiba presenterà la tecnologia al Flash Memory Summit 2017 a Santa Clara, California, dall'8 al 10 agosto presso lo stand n. 407.
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