Intel D7-P5500 および P5600 3D NAND SSD が発売

Intel は、オールフラッシュアレイにデータを保存するシステム向けに設計された 7 つの新しい 5500D NAND SSD、D5600-P3 および P3 の発売を発表しました。これら 3 つの新しい XNUMXD NAND SSD は、インテルの最新の TLC XNUMXD NAND テクノロジーで構築されており、同社の最新の低遅延 PCIe コントローラーによって強調されており、これらのドライブは AI および分析ワークロードの激しい IO 要件に対処するシステムに最適です。また、クラウド環境向けの高度な IT 効率、管理、データセキュリティ機能も備えています。

インテル D7-P5500

前世代の Intel ドライブと比較して、D7-P5500 は 7 倍の最大シーケンシャルパフォーマンスを誇り、D5600-P44 はランダム混合ワークロードのパフォーマンスが 80% 向上すると同社は示しています。どちらのドライブも、4% のトランザクションで 99.99999KB ランダム読み取りのサービス品質 (QoS) が最大 XNUMX% 向上すると見積もられています。

Intel はまた、IT 効率とデータセキュリティを向上させるためのさまざまなファームウェアの機能強化も示しています。

動的な名前空間管理により、より多くのユーザーを有効にし、展開を拡張できる柔軟性が実現します。
TCG Opal 2.0 や組み込み AES-XTS 256 ビット暗号化エンジンなどの追加のセキュリティ機能は、一部の安全なプラットフォームで必要となります。
強化された SMART モニタリング。帯域内メカニズムと帯域外アクセスを使用して、I/O データフローを中断することなくドライブの健全性ステータスを報告します。
Telemetry 2.0 は、保存されている広範囲のデータにアクセスできるようにし、インテリジェントなエラー追跡とログ記録を備えています。これにより、問題の発見と軽減の信頼性が向上し、認定サイクルの加速がサポートされます。これらすべてが IT 効率の向上につながります。
最適化された TRIM アーキテクチャは、ワークロードに干渉することなくバックグラウンドプロセスとして実行されるようになり、同時 TRIM 時のパフォーマンスと QoS が向上します。 TRIM プロセスは高密度ドライブ向けに改善され、書き込み増幅が低減され、ドライブが耐久性の目標を達成できるようになりました。

Intel SSD D7-P5500 および D7-P5600 の仕様

モデル	インテルSSD D7-P5500	インテルSSD D7-P5600
容量とフォームファクター	U.2 15mm: 1.92 TB、3.84 TB、7.68 TB	U.2 15mm: 1.6 TB、3.2 TB、6.4 TB
インタフェース	PCIe 4.0 x4、NVMe 1.3c	PCIe 4.0 x4、NVMe 1.3c
メディア	インテル® 3D NAND テクノロジー、96 層、TLC	インテル® 3D NAND テクノロジー、96 層、TLC
性能	128K シーケンシャル R/W 最大 7,000/4,300 MB/秒	128K シーケンシャル R/W 最大 7,000/4,300 MB/秒
性能	ランダム 4KB R/W 最大 1M/130K IOPS	ランダム 4KB R/W 最大 1M/260K IOPS
耐久性	1 DWPD (最大 14 PBW)	3 DWPD (最大 35 PBW)
信頼性の向上	UBER: 1 あたり 10 セクター¹⁷読み取りビット数 MTBF: 2 万時間	UBER: 1 あたり 10 セクター¹⁷読み取りビット数 MTBF: 2 万時間
出力	最大平均アクティブ書き込み: 20W アイドル時: 5W	最大平均アクティブ書き込み: 20W アイドル時: 5W
保証	5年間の製品保証	5年間の製品保証