LSI SandForce は、基盤となるフラッシュ メモリの物理容量を超えてデータの利用可能なストレージ容量を拡張する独自の SandForce フラッシュ コントローラ機能である DuraWrite Virtual Capacity (DVC) を発表しました。 DVC は圧縮アルゴリズムを利用して、SSD の容量をドライブの物理サイズの 3 倍以上拡張できます。 DVC は、同じ物理フラッシュ メモリのストレージ容量を増やすことにより、提供される容量のギガバイトあたりのコストを削減します。 DVC によって提供される合計増加容量は、データ自体の圧縮率によって異なります。 DVC は、アプリケーションが残りの物理空き領域を制御および監視し、有効なデータの量を管理して、SSD ストレージの適切なパフォーマンスと動作を保証できるようにする SMART 属性を提供します。
LSI SandForce は、基盤となるフラッシュ メモリの物理容量を超えてデータの利用可能なストレージ容量を拡張する独自の SandForce フラッシュ コントローラ機能である DuraWrite Virtual Capacity (DVC) を発表しました。 DVC は圧縮アルゴリズムを利用して、SSD の容量をドライブの物理サイズの 3 倍以上拡張できます。 DVC は、同じ物理フラッシュ メモリのストレージ容量を増やすことにより、提供される容量のギガバイトあたりのコストを削減します。 DVC によって提供される合計増加容量は、データ自体の圧縮率によって異なります。 DVC は、アプリケーションが残りの物理空き領域を制御および監視し、有効なデータの量を管理して、SSD ストレージの適切なパフォーマンスと動作を保証できるようにする SMART 属性を提供します。
LSI SandForce は、同社の SF-2000 フラッシュ コントローラーが東芝の第 19 世代先進 19nm NAND フラッシュ メモリ (AXNUMXnm) をサポートするようになり、SSD メーカーがより手頃な価格の SSD 製品を生産できるようになったとも発表しています。さらに、次世代の SandForce フラッシュ コントローラーに組み込まれている低密度パリティ チェック (LDPC) コードとデジタル信号処理 (DSP) の実装である LSI SHIELD に関する詳細情報も提供しています。このテクノロジーには、一般的なLDPCタイプのECCに比べて次の利点があります。
- アダプティブ コード レートにより、SSD の寿命全体にわたってパフォーマンスと信頼性のバランスが動的に維持されます。
- 過渡ノイズをスマートに処理することで、全体的なLDPCレイテンシーを削減し、ECC効率を向上させます。
- 硬判定と軟判定の両方のLDPCコーディングは、より強力なレベルのECCを適用するマルチレベルECCスキーマを提供し、最適なフラッシュパフォーマンスを維持しながら遅延を最小限に抑えます。
読み取りエラーの頻度は、NAND フラッシュ メモリ チップのブロックごとに異なり、ブロックが古くなり、より多くのエラーが発生するにつれて、時間の経過とともに ECC バイト数が増加します。 SHIELD テクノロジーは、ブロックごとに可変コード レートを実装することで、弱いブロックにはより強力な ECC を、強いブロックにはより弱い ECC を提供することで、最小限のオーバーヘッドで最適な信頼性を実現します。フラッシュの耐用年数 (BOL) の開始時に、未使用の ECC スペースが追加のオーバー プロビジョニング (OP) スペースに自動的に変換されます。 SSD が寿命 (EOL) に近づくと、OP の一部が徐々に消費され、フラッシュ メーカーが予約したスペア領域を超えてより強力な ECC が可能になります。
これらのイノベーションにより、SSD の全体的なパフォーマンスを低下させる大きな ECC オーバーヘッドに早期に取り組む必要がなく、SSD の耐久性が向上します。したがって、メーカーは、SHIELD テクノロジーが製品の耐用年数全体にわたってデータの整合性を保証するという確信を持って、より高性能のソリューションを最適化できます。
