SKハイニックスは238層4D NANDフラッシュメモリの量産開始を発表した。 2022 年 34 月に初めて発表されたこの製品は、NAND テクノロジーの大幅な進歩を表しており、前世代の 176 層と比較して XNUMX% 向上する製造効率が際立っています。
SKハイニックスは238層4D NANDフラッシュメモリの量産開始を発表した。 2022 年 34 月に初めて発表されたこの製品は、NAND テクノロジーの大幅な進歩を表しており、前世代の 176 層と比較して XNUMX% 向上する製造効率が際立っています。
つまり、SK ハイニックスの新しい NAND テクノロジーは、238 個の垂直層に積層されたメモリ セルで構成されており、より高い記憶密度が可能になります。 4D スタッキング アーキテクチャを利用して、3D NAND などの以前の世代と比較して、より小さな物理的設置面積内でデータ ストレージを増加します。これにより、SSD ボード上でより大容量の NAND パックが可能になります。この NAND を搭載した SSD はまだ発表されていませんが、SK hynix と Solidigm の次世代エンタープライズ SSD とクライアント SSD の両方に搭載されるはずです。
238 層 NAND フラッシュ メモリは、密度の向上に加えて、並外れたパフォーマンスの向上が期待されています。データ転送速度は毎秒 2.4Gb で、前世代より 50% 増加し、読み取りおよび書き込み速度が約 20% 速くなります。
SKハイニックスは世界的大手スマートフォンメーカーとの製品互換性テストに成功し、スマートフォン向け238層NANDフラッシュメモリの供給準備も進めている。そのため、モバイル ユーザーは、この新しい高度な NAND テクノロジーを組み込んだデバイスを使用すると、ユーザー エクスペリエンスが向上し、全体的なパフォーマンスが向上することが期待できます。
この進歩はコスト競争力の向上につながり、同社を半導体業界のフロントランナーとしてさらに位置づけることに貢献します。ちなみに、Micronはメッセージの中で「NAND層戦争」における自社のリーダーシップを重視している。新しいSKハイニックスNANDは、サムスンに次ぐ第2位の座を確保するために、両社が利用可能な市場シェアのすべての割合を競い合うことで、競争の場を再び平準化する。
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