인텔 D7-P5500 및 P5600 3D NAND SSD 출시

by 라일 스미스 2020년 6월 18일

작성자 : 라일 스미스 2020년 6월 18일

인텔은 올플래시 어레이에 데이터를 저장하는 시스템용으로 설계된 두 개의 새로운 7D NAND SSD인 D5500-P5600 및 P3의 출시를 발표했습니다. 이 두 가지 새로운 3D NAND SSD는 Intel의 최신 TLC 3D NAND 기술로 제작되었으며 회사의 새로운 저지연 PCIe 컨트롤러로 강조되어 AI 및 분석 워크로드의 집중적인 IO 요구 사항을 처리하는 시스템에 이상적입니다. 또한 클라우드 환경을 위한 고급 IT 효율성, 관리 및 데이터 보안 기능을 제공합니다.

인텔 D7-P5500

이전 세대 Intel 드라이브와 비교할 때 회사는 D7-P5500이 최대 순차 성능을 두 배로 자랑하는 반면 D7-P5600은 무작위 혼합 워크로드 성능에서 44% 증가를 보여줄 것이라고 밝혔습니다. 두 드라이브 모두 트랜잭션의 80%에 대해 4KB 랜덤 읽기 서비스 품질(QoS)에서 최대 99.99999% 개선을 제공하는 것으로 인용됩니다.

인텔은 또한 IT 효율성 및 데이터 보안을 개선하기 위한 다양한 펌웨어 향상을 나타냅니다.

동적 네임스페이스 관리는 더 많은 사용자를 지원하고 배포를 확장할 수 있는 유연성을 제공합니다.
일부 보안 플랫폼에 필요한 TCG Opal 2.0 및 내장형 AES-XTS 256비트 암호화 엔진과 같은 추가 보안 기능.
대역 내 메커니즘 및 대역 외 액세스를 사용하여 I/O 데이터 흐름을 방해하지 않고 드라이브 상태를 보고하는 향상된 SMART 모니터링.
Telemetry 2.0은 광범위한 저장된 데이터에 액세스할 수 있도록 하며 지능형 오류 추적 및 로깅을 포함합니다. 이를 통해 문제를 찾고 완화하는 신뢰성이 향상되고 검증 주기가 단축되어 IT 효율성이 향상될 수 있습니다.
최적화된 TRIM 아키텍처는 이제 워크로드에 대한 간섭 없이 백그라운드 프로세스로 실행되어 동시 TRIM 중에 성능과 QoS를 개선합니다. 드라이브가 내구성 목표를 달성하는 데 도움이 되는 쓰기 증폭이 감소하여 고밀도 드라이브에 맞게 TRIM 프로세스가 개선되었습니다.

인텔 SSD D7-P5500 및 D7-P5600 사양

모델	인텔 SSD D7-P5500	인텔 SSD D7-P5600
용량 및 폼 팩터	U.2 15mm: 1.92TB, 3.84TB, 7.68TB	U.2 15mm: 1.6TB, 3.2TB, 6.4TB
인터페이스	PCIe 4.0 x4, NVMe 1.3c	PCIe 4.0 x4, NVMe 1.3c
미디어	인텔® 3D NAND 기술, 96단, TLC	인텔® 3D NAND 기술, 96단, TLC
퍼포먼스	128K 순차 R/W 최대 7,000/4,300MB/s	128K 순차 R/W 최대 7,000/4,300MB/s
퍼포먼스	임의 4KB R/W 최대 1M/130K IOPS	임의 4KB R/W 최대 1M/260K IOPS
지구력	1DWPD(최대 14PBW)	3DWPD(최대 35PBW)
신뢰성	UBER: 1분의 10섹터¹⁷비트 읽기 MTBF: 2백만 시간	UBER: 1분의 10섹터¹⁷비트 읽기 MTBF: 2백만 시간
출력	최대 평균 활성 쓰기: 20W 유휴: 5W	최대 평균 활성 쓰기: 20W 유휴: 5W
품질 보증	5 년 제한 보증	5 년 제한 보증