삼성전자가 업계 최고의 비트 밀도를 갖춘 1테라비트(Tb) TLC(트리플 레벨 셀) 8세대 V낸드 양산을 시작했다고 발표했다. 이 새로운 V-NAND는 또한 시장에서 사용할 수 있는 최대 스토리지 용량을 제공하여 차세대 엔터프라이즈 서버 시스템에서 더 큰 스토리지 공간을 허용합니다. 삼성은 이전에 XNUMX을 발표했습니다.th-Flash Memory Summit 1 및 Samsung Memory Tech Day 2022의 2022Tb TLC V-NAND 및 낸드플래시 생산능력 확대 2020년 대한민국 평택에서
삼성전자가 업계 최고의 비트 밀도를 갖춘 1테라비트(Tb) TLC(트리플 레벨 셀) 8세대 V낸드 양산을 시작했다고 발표했다. 이 새로운 V-NAND는 또한 시장에서 사용할 수 있는 최대 스토리지 용량을 제공하여 차세대 엔터프라이즈 서버 시스템에서 더 큰 스토리지 공간을 허용합니다. 삼성은 이전에 XNUMX을 발표했습니다.th-Flash Memory Summit 1 및 Samsung Memory Tech Day 2022의 2022Tb TLC V-NAND 및 낸드플래시 생산능력 확대 2020년 대한민국 평택에서
삼성은 8세대 V-NAND가 빠르게 성장하는 시장 수요를 충족하고 더 독특한 제품과 솔루션을 개발할 수 있도록 지원할 것이라고 밝혔습니다. 그들은 웨이퍼당 비트 생산성을 크게 향상시켜 이 비트 밀도를 달성할 수 있었습니다.
최신 "Toggle DDR 5.0 인터페이스"를 사용하는 삼성의 새로운 V-NAND 기술은 최대 2.4Gbps의 I/O 속도를 제공하며, 이는 이전 세대보다 약 1.2배 향상된 것입니다. 이를 통해 새로운 V-NAND는 PCIe 4.0 및 PCIe 5.0의 성능 요구 사항 및 표준을 지원할 수 있습니다(나중에 가능).
삼성은 XNUMX세대 V-NAND가 차세대 엔터프라이즈 서버의 스토리지 용량을 확장하는 데 도움이 될 것이라고 믿습니다. 자동차 시장에도 활용 범위를 넓힐 계획이다.
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