Vandaag heeft Micron Technology, Inc. een nieuwe vooruitgang in DRAM-schaling aangekondigd. Micron beweert het eerste geheugenbedrijf te zijn dat begon met de massaproductie van 16Gb DDR4-producten met behulp van 1z nm-procestechnologie. Het bedrijf kondigt ook volumezendingen aan van 16Gb low-power double data rate 4X (LPDDR4X) DRAM in op UFS gebaseerde multichip-pakketten (uMCP4).
Vandaag heeft Micron Technology, Inc. een nieuwe vooruitgang in DRAM-schaling aangekondigd. Micron beweert het eerste geheugenbedrijf te zijn dat begon met de massaproductie van 16Gb DDR4-producten met behulp van 1z nm-procestechnologie. Het bedrijf kondigt ook volumezendingen aan van 16Gb low-power double data rate 4X (LPDDR4X) DRAM in op UFS gebaseerde multichip-pakketten (uMCP4).
De productie van 1znm-technologie markeert de ontwikkeling en massaproductie van de kleinste DRAM-node in de industrie. De nieuwe 1z nm 16Gb DDR4 van Micron levert naar verluidt een hogere bitdichtheid en prestatieverbeteringen, terwijl de kosten lager zijn dan die van 1Y nm node. De nieuwe technologie is een meer bewijs van het streven van Micron om te innoveren in prestaties en stroomverbruik voor zijn compute DRAM (DDR4), mobiele DRAM (LPDDR4) en grafische DRAM (GDDR6) productlijnen. De kracht- en prestatieverbeteringen in een kleiner pakket zijn ideaal voor opkomende technologieën zoals AI, autonome voertuigen, 5G, mobiele apparaten en gaming.
Zoals hierboven vermeld, kunnen kleinere knooppunten verschillende voordelen opleveren. Deze voordelen omvatten tot 40% minder stroom (vergeleken met de vorige generatie 8Gb DDR4-gebaseerde producten. En een lager stroomverbruik is belangrijk voor mobiele apparaten die op zoek zijn naar een langere levensduur van de batterij. Door de overgang naar 1z nm in gang te zetten, loopt Micron voorop in voorwaarden om nieuwe voordelen aan klanten aan te bieden.
Meld u aan voor de StorageReview-nieuwsbrief
