Vandaag heeft Spin Memory een nieuwe RAM-productietechnologie (Random-Access Memory) aangekondigd die de geheugendichtheid (en dus de capaciteit) met minstens 20% verbetert. Het bedrijf beweert dat sommige chipontwerpen tot vijf keer meer geheugen kunnen insluiten in hetzelfde gebied met minimale extra verwerkingskosten voor wafers door hun nieuwe technologie toe te passen. Spin Memory (een paar jaar geleden hernoemd en omgedoopt tot Spin Transfer Technologies) werd opgericht in 2007. Spin Memory heeft agressief onderzoek gedaan naar verbeteringen in RAM, met name MRAM.
Vandaag heeft Spin Memory een nieuwe RAM-productietechnologie (Random-Access Memory) aangekondigd die de geheugendichtheid (en dus de capaciteit) met minstens 20% verbetert. Het bedrijf beweert dat sommige chipontwerpen tot vijf keer meer geheugen kunnen insluiten in hetzelfde gebied met minimale extra verwerkingskosten voor wafers door hun nieuwe technologie toe te passen. Spin Memory (een paar jaar geleden hernoemd en omgedoopt tot Spin Transfer Technologies) werd opgericht in 2007. Spin Memory heeft agressief onderzoek gedaan naar verbeteringen in RAM, met name MRAM.
Spin noemt hun nieuwe technologie de Universal Selector. De Universal Selector van Spin Memory is een selectieve, verticale epitaxiale celtransistor. Volgens het bedrijf zijn ze in staat om de cel volledig leeg te laten werken door een lage dopingconcentratie te gebruiken. Mede door dit ontwerpkenmerk kan de Universal Selector-cel volledig elektrisch worden geïsoleerd van het siliciumsubstraat. Deze isolatie zou het aantal zachte fouten in RAM-chips moeten verminderen en de effectiviteit van rowhammer-aanvallen verminderen. Spin Memory zegt dat het momenteel met NASA werkt aan de ontwikkeling van DRAM-oplossingen (Dynamic Random-Access Memory) met een lage SER en rijhamer.
Spin Memory denkt dat het de DRAM-arraydichtheid tussen 20% en maar liefst 35% kan verbeteren door zijn 4F2 DRAM-bitcelconfiguratie. DRAM is hetzelfde soort geheugen dat de meeste pc's gebruiken. Het 4F2-nummer moet worden gelezen als een 4 met een eenheid van F2. F2 is een meeteenheid zoals nanometers, ponden of dollars. F2 is de eenheid die wordt gebruikt om te beschrijven hoeveel ruimte elk kenmerk of bit inneemt in een tweedimensionaal gebied. Cruciaal is dat het niets zegt over hoe lang of diep de hardware is die nodig is om een enkel bit op te slaan, alleen de oppervlakte ervan. Alles bij elkaar genomen, heeft een 4F2-ontwerp 50% meer geheugen dan een 6F2-ontwerp in dezelfde ruimte, uitgaande van een vergelijkbaar verticaal stapelgedrag.
Voor opkomende geheugens zoals MRAM (magnetoresistieve willekeurige-toegangsgeheugen), ReRAM (resistieve willekeurige-toegangsgeheugen) en PCRAM (Phase-Change Random-Access Memory), claimt Spin Memory dat de Universal Selector fabrikanten in staat stelt om 1T1R geheugenbitcellen van 6F2 – 10F2. Dit zou fabrikanten in staat stellen om tot vijf keer meer geheugen in hetzelfde gebied in te bouwen met minimale extra waferverwerkingskosten. MRAM is sinds de oprichting een aandachtsgebied voor Spin Memory. Het belangrijkste voordeel van MRAM ten opzichte van DRAM is dat MRAM niet-vluchtig is en stroom kan verliezen zonder gegevens te verliezen. Het belangrijkste nadeel was tot nu toe dat het minder dicht is, dat wil zeggen dat het niet zoveel gegevens in dezelfde ruimte kan opslaan. Hoewel een 6F2-ontwerp de kloof niet volledig dicht, krijgt het wel MRAM-chips binnen schreeuwafstand van de huidige generatie DRAM.
Spin Memory is van plan later deze maand aanvullende technische details over hun Universal Selector te delen. Op donderdag 20 augustus zal Dr. Kadriye Deniz Bozdag, Spin Memory's manager van MRAM-testen, een presentatie geven op Berkeley's 31e Magnetic Recording Conference.
Neem contact op met StorageReview
Nieuwsbrief | YouTube | Podcast iTunes/Spotify | Instagram | Twitter | Facebook | RSS Feed
