A Micron Technology anuncia a disponibilidade de amostras do módulo de expansão de memória Micron CZ120 para clientes e parceiros. Disponível em capacidades de 128 GB e 256 GB, o fator de forma E3.S 2T CZ120 usa interface PCIe Gen5 x8 e é capaz de executar largura de banda de leitura/gravação de memória de até 36 GB/s. O módulo melhora o desempenho do servidor quando a capacidade de memória incremental e a largura de banda são necessárias.
A Micron Technology anuncia a disponibilidade de amostras do módulo de expansão de memória Micron CZ120 para clientes e parceiros. Disponível em capacidades de 128 GB e 256 GB, o fator de forma E3.S 2T CZ120 usa interface PCIe Gen5 x8 e é capaz de executar largura de banda de leitura/gravação de memória de até 36 GB/s. O módulo melhora o desempenho do servidor quando a capacidade de memória incremental e a largura de banda são necessárias.
Os módulos CZ120 usam os padrões Compute Express Link (CXL) e suportam o padrão CXL 2.0 Tipo 3. A Micron acredita que os módulos CZ120 acelerarão a adoção do CXL 2.0 ao alavancar uma arquitetura de memória de canal duplo, oferecendo maior capacidade de módulo e maior largura de banda. A maior capacidade de memória beneficia cargas de trabalho como treinamento de IA e modelagem de inferência, aplicativos SaaS, bancos de dados na memória, computação de alto desempenho e cargas de trabalho de uso geral executadas em um hipervisor local ou na nuvem.
Os módulos de expansão de memória baseados em CXL de alta capacidade da Micron fornecem a flexibilidade para criar servidores que atendem às demandas de carga de trabalho de aplicativos com mais capacidade de memória e menor latência. Isso resulta em até 96% mais consultas de banco de dados por dia e 24% mais largura de banda de leitura/gravação de memória por CPU do que servidores usando apenas memória RDIMM.
Os módulos de expansão de memória Micron CZ256 de 120 GB oferecem aos fornecedores independentes de software, provedores de serviços em nuvem, fabricantes de equipamentos originais e fabricantes de design original a capacidade de criar servidores com até 2 TB de capacidade de memória incremental. A capacidade adicional significa melhor desempenho e maior largura de banda de memória sem a necessidade de implantar mais servidores. Ao melhorar o uso de recursos de computação e memória para aplicativos corporativos e de nuvem, as organizações podem reduzir suas despesas operacionais e de capital para seus aplicativos de data center.
Destaques do produto
- Aproveita o processo de produção de DRAM de alto volume
- Arquitetura de memória de canal duplo para maior largura de banda
- Expansão de memória incremental de até 2 TB por CPU
Características principais
- Raiz segura de confiança e inicialização segura
- Gerenciamento de dispositivos de banda lateral
- Centro de dados RAS
- SECED, SDDC ECC
- Correção de erro do dispositivo DRAM baseado em Reed-Solomon
- Gerenciamento de reparo pós-embalagem
Especificações do módulo de expansão de memória CZ120
| Capacidade | 128GB / 256GB |
| CXL | 2 |
| Fator de Forma | E3.S 2T |
| Interface Host | PCIe Gen5 x8 |
| Tempo médio entre falhas (MTBF) | 3 milhões de horas |
| Potência (típica) | 27W / 31W |
| Largura de Banda do Módulo | Até 36 GB/s |
Casos de uso para expansão de memória baseada em CXL
As cargas de trabalho estão ficando cada vez mais limitadas à memória, e o uso de módulos de expansão de memória baseados em CXL resolve esse desafio adicionando capacidade de memória e largura de banda. As cargas de trabalho de AI/ML e análise de dados se beneficiam da capacidade e largura de banda expandidas. Os bancos de dados na memória e as cargas de trabalho de computação de uso geral se beneficiarão da expansão da capacidade, enquanto as cargas de trabalho de computação de alto desempenho terão melhor desempenho com a largura de banda expandida.
Clientes qualificados e parceiros inscritos no Micron Technology Enablement Program (TEP) podem contar com a colaboração, qualidade e suporte da Micron. Os benefícios adicionais do TEP incluem suporte prático para auxiliar no desenvolvimento de projetos habilitados para CXL, recursos técnicos como planilhas de dados e modelos elétricos e térmicos para auxiliar no desenvolvimento e avaliação de produtos e consultoria de engenharia relacionada à integridade do sinal e outros tópicos de suporte técnico .
De acordo com Siva Makineni, vice-presidente do Micron Advanced Memory Systems Group, eles estão desenvolvendo e testando os módulos CZ120 usando plataformas Intel e AMD capazes de suportar o padrão CXL. Ele acredita que os esforços de colaboração conduzirão a uma aceitação mais rápida do novo padrão CXL 2.0, pois as demandas por data centers e cargas de trabalho com uso intensivo de memória continuam a crescer.
A AMD afirmou que validou a memória Micron em várias plataformas equipadas com processadores AMD EPYC e ampliou os esforços conjuntos para incluir o novo módulo de expansão de memória Micron CZ120. Os testes da AMD com seu processador EPYC 9754 estão mostrando resultados impressionantes no desempenho do benchmark TPC-H em comparação apenas com DRAM.
À medida que as organizações exploram mais maneiras de cortar custos e ainda fornecer tecnologia de servidor de alto desempenho que pode atender às demandas de cargas de trabalho modernas, o CXL oferece uma solução arquitetônica econômica, flexível e escalável. Para manter a flexibilidade e a escalabilidade, os servidores precisarão ser compostos dinamicamente para atender às demandas de cargas de trabalho modernas e emergentes, como IA e aprendizado profundo.
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