Hoje a Micron Technology, Inc. anunciou um novo avanço no escalonamento de DRAM. A Micron afirma ser a primeira empresa de memória a iniciar a produção em massa de produtos DDR16 de 4 Gb usando a tecnologia de processo de 1z nm. A empresa também está anunciando remessas em volume de DRAM 16X (LPDDR4X) de baixa potência e taxa de dados dupla de 4 Gb em pacotes multichip baseados em UFS (uMCP4).
Hoje a Micron Technology, Inc. anunciou um novo avanço no escalonamento de DRAM. A Micron afirma ser a primeira empresa de memória a iniciar a produção em massa de produtos DDR16 de 4 Gb usando a tecnologia de processo de 1z nm. A empresa também está anunciando remessas em volume de DRAM 16X (LPDDR4X) de baixa potência e taxa de dados dupla de 4 Gb em pacotes multichip baseados em UFS (uMCP4).
A produção da tecnologia 1z nm marca o desenvolvimento e a produção em massa do nó DRAM de menor tamanho do setor. Diz-se que o novo 1z nm 16Gb DDR4 da Micron oferece maior densidade de bits, aprimoramentos de desempenho, ao mesmo tempo em que tem um custo menor do que o nó 1Y nm. A nova tecnologia é mais uma prova do empenho da Micron em inovar em desempenho e consumo de energia para suas linhas de produtos DRAM de computação (DDR4), DRAM móvel (LPDDR4) e DRAM gráfica (GDDR6). As melhorias de potência e desempenho em um pacote menor serão ideais para tecnologias emergentes como IA, veículos autônomos, 5G, dispositivos móveis e jogos.
Conforme declarado acima, nós menores podem oferecer vários benefícios. Esses benefícios incluem até 40% de redução no consumo de energia (em comparação com a geração anterior de produtos baseados em DDR8 de 4 Gb. E o menor uso de energia é importante para dispositivos móveis que buscam maior duração da bateria. Iniciar a transição para 1z nm coloca a Micron à frente da curva em em termos de oferecer novos benefícios aos clientes.
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