Hoje a Samsung Electronics Co., Ltd. lançou uma versão de 800 GB de seu Z-SSD, SZ985. Essa nova unidade é destinada a casos de uso como inteligência artificial (IA), big data, computação de alto desempenho (HPC) e aplicativos de Internet das Coisas (IoT). Os novos 800 GB, bem como a versão de 240 GB, do Z-SSD serão apresentados no ISSCC 2018 de 11 a 15 de fevereiro em São Francisco.
Hoje a Samsung Electronics Co., Ltd. lançou uma versão de 800 GB de seu Z-SSD, SZ985. Essa nova unidade é destinada a casos de uso como inteligência artificial (IA), big data, computação de alto desempenho (HPC) e aplicativos de Internet das Coisas (IoT). Os novos 800 GB, bem como a versão de 240 GB, do Z-SSD serão apresentados no ISSCC 2018 de 11 a 15 de fevereiro em São Francisco.
O Z-SSD é um SSD de quatro pistas com desempenho ultrabaixo e latência ultrabaixa que foi anunciado pela primeira vez há mais de um ano, mas a Samsung é particularmente mesquinha com os detalhes. A empresa está citando desempenho de leitura aleatória de 750K IOPS, gravação aleatória de 170K IOPS e 16μs de latência, tornando-o substancialmente mais rápido do que uma unidade NVMe. Eles afirmam que os chips Z-NAND têm desempenho de leitura de célula 10 vezes maior do que os chips V-NAND de 3 bits. A unidade também vem equipada com DRAM LPDDR1.5 de 4 GB e um controlador de alto desempenho.
O Z-SSD tem números de resistência de 30DWPD por cinco anos ou 43PB no total e 2 milhões de horas MTBF. Os casos de uso incluem dados de cache de alta velocidade, processamento de dados de log, IA, big data e IoT.
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