A Samsung Electronics Co., Ltd. lançou a terceira geração de sua High Bandwidth Memory 2E (HBM2E), também conhecida como “Flashbolt”. A última geração do HBM2E tem 16 GB, o que o torna adequado para sistemas HPC, além de ajudar com supercomputadores, análise de dados orientada por IA e sistemas gráficos de última geração. O Aquabolt continuará a ser produzido enquanto esta geração estiver em produção.
A Samsung Electronics Co., Ltd. lançou a terceira geração de sua High Bandwidth Memory 2E (HBM2E), também conhecida como “Flashbolt”. A última geração do HBM2E tem 16 GB, o que o torna adequado para sistemas HPC, além de ajudar com supercomputadores, análise de dados orientada por IA e sistemas gráficos de última geração. O Aquabolt continuará a ser produzido enquanto esta geração estiver em produção.
A geração anterior, Aquabolt, tinha capacidade de 8 GB. O Flashbolt atinge 16 GB ao empilhar verticalmente oito camadas de DRAM de 10 nm (1y) e 16 gigabits (Gb) em cima de um chip de buffer. Além disso, o Flashbolt é interconectado em um arranjo preciso de mais de 40,000 microssaltos 'através do silício via' (TSV), com cada matriz de 16 Gb contendo mais de 5,600 desses orifícios microscópicos. Para desempenho, a Samsung afirma que a última geração pode atingir uma velocidade de transferência de dados confiável de 3.2 gigabits por segundo e largura de banda de memória de 410 GB/s por pilha. Isso é uma grande melhoria em relação aos 307 GB/s da última geração.
Disponibilidade
A Samsung espera iniciar a produção em volume durante o primeiro semestre de 2020.
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