A SanDisk e a Toshiba anunciaram que esperam iniciar as remessas em volume de NAND de 15 nm no segundo semestre deste ano. Até agora, a qualidade de produção NAND caiu amplamente para a faixa de 19/20 nm. A joint venture aumentará a tecnologia flash de 15 nm em arquiteturas de memória flash NAND de dois bits por célula e três bits por célula. O trabalho será feito na Fab 5, substituindo a fabricação NAND de 19nm. Um segundo estágio do Fab 5 está atualmente em construção, que também lidará com 15nm NAND.
A SanDisk e a Toshiba anunciaram que esperam iniciar as remessas em volume de NAND de 15 nm no segundo semestre deste ano. Até agora, a qualidade de produção NAND caiu amplamente para a faixa de 19/20 nm. A joint venture aumentará a tecnologia flash de 15 nm em arquiteturas de memória flash NAND de dois bits por célula e três bits por célula. O trabalho será feito na Fab 5, substituindo a fabricação NAND de 19nm. Um segundo estágio do Fab 5 está atualmente em construção, que também lidará com 15nm NAND.
A SanDisk chama o nó de processo de "o mais avançado do setor... permitindo-nos fornecer os menores e mais econômicos chips de 128 gigabits do mundo". O empreendimento está alavancando inovações de processo e design para dimensionar os chips em ambos os eixos. Além disso, a SanDisk está incorporando sua arquitetura All-Bit-Line (ABL), que abriga seus próprios algoritmos de programação e esquemas de gerenciamento de armazenamento sem afetar o desempenho ou a confiabilidade. Os novos chips flash espera-se que tenham o mesmo desempenho de gravação da tecnologia de 19 nm, mas com uma taxa de transferência de dados 30% mais rápida graças a uma nova interface de maior velocidade.
Embora os detalhes sejam escassos além dos destaques da tecnologia, a SanDisk e a Toshiba esperam utilizar NAND de 15 nm em todas as suas soluções flash, desde cartões de memória até soluções SSD corporativas.
