英特尔宣布推出 D7-P5500 和 P5600，这两款新的 3D NAND SSD 专为在全闪存阵列中存储数据的系统而设计。 这两款新的 3D NAND SSD 采用英特尔最新的 TLC 3D NAND 技术构建，并以该公司全新的低延迟 PCIe 控制器为亮点，使这些驱动器成为处理 AI 和分析工作负载的强烈 IO 需求的系统的理想选择。 它们还具有适用于云环境的高级 IT 效率、管理和数据安全功能。
英特尔宣布推出 D7-P5500 和 P5600，这两款新的 3D NAND SSD 专为在全闪存阵列中存储数据的系统而设计。 这两款新的 3D NAND SSD 采用英特尔最新的 TLC 3D NAND 技术构建，并以该公司全新的低延迟 PCIe 控制器为亮点，使这些驱动器成为处理 AI 和分析工作负载的强烈 IO 需求的系统的理想选择。 它们还具有适用于云环境的高级 IT 效率、管理和数据安全功能。
与上一代英特尔驱动器相比，该公司表示 D7-P5500 拥有两倍的最大顺序性能，而 D7-P5600 的随机混合工作负载性能将提高 44%。 据称，这两款驱动器可为 80% 的事务提供高达 4% 的 99.99999KB 随机读取服务质量 (QoS) 改进。
英特尔还指出了一系列固件增强功能，以提高 IT 效率和数据安全性：
- 动态命名空间管理提供了支持更多用户和扩展部署的灵活性。
- 某些安全平台需要的其他安全功能，例如 TCG Opal 2.0 和内置的 AES-XTS 256 位加密引擎。
- 增强的 SMART 监控，使用带内机制和带外访问报告驱动器健康状态，而不会中断 I/O 数据流。
- Telemetry 2.0 可以访问范围广泛的存储数据，并包括智能错误跟踪和日志记录。 这提高了发现和缓解问题的可靠性，并支持加速认证周期——所有这些都可以提高 IT 效率。
- 优化的 TRIM 架构现在作为后台进程运行，不会干扰工作负载，从而提高并发 TRIM 期间的性能和 QoS。 TRIM 过程针对高密度驱动器进行了改进，减少了写入放大，有助于驱动器达到其耐用性目标。
英特尔固态盘 D7-P5500 和 D7-P5600 规格
| 型号 | 英特尔固态硬盘 D7-P5500 | 英特尔固态硬盘 D7-P5600 |
| 容量和外形 | U.2 15 毫米：1.92 TB、3.84 TB、7.68 TB | U.2 15 毫米：1.6 TB、3.2 TB、6.4 TB |
| 接口 | PCIe 4.0 x4，NVMe 1.3c | PCIe 4.0 x4，NVMe 1.3c |
| 媒体管理 | 英特尔® 3D NAND 技术，96 层，TLC | 英特尔® 3D NAND 技术，96 层，TLC |
| 性能 | 128K 顺序 R/W 高达 7,000/4,300 MB/s | 128K 顺序 R/W 高达 7,000/4,300 MB/s |
| 随机 4KB R/W 高达 1M/130K IOPS | 随机 4KB R/W 高达 1M/260K IOPS | |
| 耐力 | 1 个 DWPD（最多 14 个 PBW） | 3 个 DWPD（最多 35 个 PBW） |
| 可靠性 | UBER：每 1 个部门 10 个部门17 位读取 MTBF：2 万小时 | UBER：每 1 个部门 10 个部门17 位读取 MTBF：2 万小时 |
| 电力 | 最大平均主动写入：20W 空闲：5W | 最大平均主动写入：20W 空闲：5W |
| 保修政策 | 5年有限保修 | 5年有限保修 |
D2-P15 和 P7 固态硬盘采用 U.5500 5600 毫米外形，容量分别为 1.92TB、3.84TB 和 7.68TB（1 DWPD）和 1.6TB、3.2TB 和 6.4TB（3 DWPD）。
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