随着 1Gb DDR1 内存的推出，美光科技率先推出了 16β (5-beta) 工艺节点技术。 美光 DDR7,200 SDRAM 的速度可达 5 MT/s，并以先进的 1β 工艺为后盾。 与上一代 DDR50 相比，这一发展意味着性能提升高达 33%，每瓦性能提升 4%。
随着 1Gb DDR1 内存的推出，美光科技率先推出了 16β (5-beta) 工艺节点技术。 美光 DDR7,200 SDRAM 的速度可达 5 MT/s，并以先进的 1β 工艺为后盾。 与上一代 DDR50 相比，这一发展意味着性能提升高达 33%，每瓦性能提升 4%。
CPU 核心数量的快速增长（受数据中心运营需求不断增长的推动）需要显着增加内存带宽和容量。 美光 DDR5 专为满足这一要求而设计，与 DDR4 同类产品相比，提供高达两倍的内存带宽。 这一进步对于优化客户的总拥有成本同时克服普遍的“内存墙”挑战至关重要。
此外，DDR5 技术的进步预计将增强计算能力，促进人工智能训练、数据分析、生成式人工智能和内存数据库等领域的操作。 美光的新型 DDR5 内存具有不同的速度，从 4,800 MT/s 到峰值 7,200 MT/s，可满足数据中心和客户端应用的需求。
在突破性 1β 技术的支持下，美光准备推出广泛的内存解决方案组合。 其中包括采用 5Gb、16Gb 和 24Gb DRAM 芯片配置的 DDR32 RDIMM 和 MCRDIMM，以及 LPDDR5X、HBM3E 和 GDDR7。 这些新的 16Gb DDR5 内存解决方案将通过直销和渠道合作伙伴提供。
美光指出该公司新型 DDR5 内存具有以下主要优势:
- 高性能内存带宽：美光的 DDR5 内存带来了性能的显着飞跃，特别有利于企业和云运营中的关键任务。 该内存系统专为人工智能应用程序（例如推荐系统和生成式人工智能）量身定制，并为内存数据库建立了无与伦比的性能标准。
- 增强的可靠性：DDR5 内存系统采用片上纠错码 (ODECC) 和有限故障等最先进的功能进行设计，可提高整个数据中心的可靠性水平。
- 扩展容量：DDR16 内存经过主要 CPU 供应商的 32/64/24 GB 和 48/96/5 GB 等容量验证，提供针对 TCO 优化的配置。
美光科技向大批量生产的转型以及针对不同平台的 1β DDR5 DRAM 的大规模供应，标志着该行业的一个显着基准，重申了该公司对技术进步的承诺。
美光全新 DDR5 RAM 现已上市。
参与 StorageReview
电子报 | YouTube | 播客 iTunes/Spotify | Instagram | Twitter | TikTok | RSS订阅
