三星已经开始量产 250GB SATA SSD，集成了该公司的第 6 代（1xx 层）256Gb 3bit V-NAND，面向全球 PC OEM。 三星表示，凭借其“通道孔蚀刻”技术，新的 V-NAND 在之前的 40x 层单堆栈结构的基础上增加了大约 9% 的单元。 这是通过构建一个具有 136 层的导电模具堆栈，然后从上到下垂直刺穿圆柱形孔，从而创建一个均匀的 3D 电荷陷阱闪光 (CTF) 电池来完成的。
三星已经开始量产 250GB SATA SSD，集成了该公司的第 6 代（1xx 层）256Gb 3bit V-NAND，面向全球 PC OEM。 三星表示，凭借其“通道孔蚀刻”技术，新的 V-NAND 在之前的 40x 层单堆栈结构的基础上增加了大约 9% 的单元。 这是通过构建一个具有 136 层的导电模具堆栈，然后从上到下垂直刺穿圆柱形孔，从而创建一个均匀的 3D 电荷陷阱闪光 (CTF) 电池来完成的。
当每个单元区域的模具堆叠高度增加时，可能会出现错误和读取延迟漏洞。 为了解决这个问题，三星集成了速度优化的电路设计，使其能够实现最快的数据传输速度：写入低于 450μs，读取低于 45μs。 三星表示，与上一代产品相比，性能提升了 10% 以上，功耗降低了 15% 以上。 因此，只需安装三个当前堆栈，该公司声称他们将提供超过 300 层的下一代 V-NAND 解决方案，而不会影响芯片性能或可靠性。
三星还将创建 256Gb 芯片密度所需的通道孔数从 670 亿个减少到（上一代为 930 亿以上）。 这将允许减小芯片尺寸，减少工艺步骤，并将制造生产率提高 20% 以上。
三星有望在 512 年下半年提供 3Gb 2019 位 V-NAND SSD 和 eUFS。此外，他们将从明年开始在其平泽（韩国）园区扩大生产速度更快、容量更大的第 6 代 V-NAND 解决方案年。
