本周我们发现三星扩大了韩国平泽市的 NAND 闪存产能,以满足中长期需求,特别是针对市场新兴技术的需求。 该工厂的建设工作已经在顺利进行,他们的 V-NAND 存储器计划于 2021 年下半年某个时候开始量产。三星表示将继续进行新的投资以“抓住未来的市场机会”。
三星宣布扩大其在韩国平泽市的 NAND 闪存产能,以满足中长期需求,特别是针对市场新兴技术的需求。 该工厂的建设工作已经在顺利进行,他们的 V-NAND 存储器计划于 2021 年下半年某个时候开始量产。三星表示将继续进行新的投资以“抓住未来的市场机会”。
三星的平泽园区建于 2015 年,被认为是“下一代内存技术的中心”,因为它拥有两条世界上规模最大的生产线。 因此,在 NAND 技术创新方面,该公司通常处于领先地位。 例如,它是第一家 量产第六代(1xx层)V-NAND 回到去年七月。
下面是一段三星V-NAND量产的历史:
日期 | V-NAND |
2013 年 7 月 | 1st代(24层)128Gb MLC V-NAND |
2013年XNUMX月 | 1st-一代 128Gb MLC V-NAND 960GB SSD |
2014年XNUMX月 | 2nd代(32层)128Gb 3-bit V-NAND |
九月 2014 | 2nd-一代 V-NAND SSD |
2015年XNUMX月 | 3rd代(48层)256Gb 3-bit V-NAND |
九月 2015 | 3rd-一代 V-NAND SSD '850 EVO', '950 PRO' |
十二月2016 | 4th代(64层)256Gb 3-bit V-NAND |
一月2017 | 4th-一代 V-NAND SSD |
一月2018 | 4th-代 512Gb V-NAND 30.72TB SAS SSD |
2018 年 5 月 | 5th代(9x 层)256Gb 3 位 V-NAND |
2018 年 6 月 | 5th-一代 V-NAND SSD |
2019 年 6 月 | 6th代(1xx 层)256Gb 3 位 V-NAND |
2019 年 7 月 | 6th-一代 V-NAND SSD |
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