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三星扩大NAND闪存产能

by 莱尔·史密斯

本周我们发现三星扩大了韩国平泽市的 NAND 闪存产能,以满足中长期需求,特别是针对市场新兴技术的需求。 该工厂的建设工作已经在顺利进行,他们的 V-NAND 存储器计划于 2021 年下半年某个时候开始量产。三星表示将继续进行新的投资以“抓住未来的市场机会”。

三星宣布扩大其在韩国平泽市的 NAND 闪存产能,以满足中长期需求,特别是针对市场新兴技术的需求。 该工厂的建设工作已经在顺利进行,他们的 V-NAND 存储器计划于 2021 年下半年某个时候开始量产。三星表示将继续进行新的投资以“抓住未来的市场机会”。

三星扩展NAND三星的平泽园区建于 2015 年,被认为是“下一代内存技术的中心”,因为它拥有两条世界上规模最大的生产线。 因此,在 NAND 技术创新方面,该公司通常处于领先地位。 例如,它是第一家 量产第六代(1xx层)V-NAND 回到去年七月。

下面是一段三星V-NAND量产的历史:

日期 V-NAND
2013 年 7 月 1st代(24层)128Gb MLC V-NAND
2013年XNUMX月 1st-一代 128Gb MLC V-NAND 960GB SSD
2014年XNUMX月 2nd代(32层)128Gb 3-bit V-NAND
九月 2014 2nd-一代 V-NAND SSD
2015年XNUMX月 3rd代(48层)256Gb 3-bit V-NAND
九月 2015 3rd-一代 V-NAND SSD '850 EVO', '950 PRO'
十二月2016 4th代(64层)256Gb 3-bit V-NAND
一月2017 4th-一代 V-NAND SSD
一月2018 4th-代 512Gb V-NAND 30.72TB SAS SSD
2018 年 5 月 5th代(9x 层)256Gb 3 位 V-NAND
2018 年 6 月 5th-一代 V-NAND SSD
2019 年 6 月 6th代(1xx 层)256Gb 3 位 V-NAND
2019 年 7 月 6th-一代 V-NAND SSD

三星半导体

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