三星推出第三代 HBM3E

by 亚当·阿姆斯特朗 2020 年 2 月 4 日

写亚当·阿姆斯特朗 2020 年 2 月 4 日

三星电子有限公司发布了第三代高带宽内存 2E (HBM2E)，也称为“Flashbolt”。最新一代的 HBM2E 为 16GB，非常适合 HPC 系统，同时也有助于超级计算机、人工智能驱动的数据分析和最先进的图形系统。在这一代产品生产期间，Aquabolt 将继续生产。

上一代 Aquabolt 的容量为 8GB。 Flashbolt 通过在缓冲芯片顶部垂直堆叠八层 16 纳米级 (10y) 1 吉比特 (Gb) DRAM 芯片来达到 16GB。此外，Flashbolt 以超过 40,000 个“硅通孔”(TSV) 微凸块的精确排列相互连接，每个 16Gb 芯片包含超过 5,600 个这些微孔。对于性能，三星表示最新一代可以达到每秒 3.2 吉比特的可靠数据传输速度和每个堆栈 410GB/秒的内存带宽。这比上一代的 307GB/s 有了很大的改进。

可用性

三星预计将在 2020 年上半年开始量产。

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