三星以三星半导体美国总裁 Jae Jeong 的开幕主题演讲拉开了虚拟技术日的序幕，重点介绍了存储密度和速度、安全性、计算存储方面的进步以及与其他行业领导者的合作。 在他的开场白之后，答题器被移交给吉姆·埃利奥特 (Jim Elliott)，以扩展三星的重点和方向。 热门话题包括计算存储和 AI，在其他演示文稿中进行了详细扩展。
三星以三星半导体美国总裁 Jae Jeong 的开幕主题演讲拉开了虚拟技术日的序幕，重点介绍了存储密度和速度、安全性、计算存储方面的进步以及与其他行业领导者的合作。 在他的开场白之后，答题器被移交给吉姆·埃利奥特 (Jim Elliott)，以扩展三星的重点和方向。 热门话题包括计算存储和 AI，在其他演示文稿中进行了详细扩展。
2021 年三星技术日
该活动分为四类：主题演讲、技术展示、客户协作和学术界。
主题演讲重点介绍了三星与合作伙伴和客户所做的努力，展示了内存、存储和计算技术方面的进步。 整个活动中突出的合作伙伴包括 VMware、Broadcom、Intel 和 Xilinx 等，他们都以虚拟方式为会议做出了贡献。
总体主题围绕数据的指数增长和提供解决方案的需求，使客户能够将硬件部署到服务技术，如大数据、物联网、人工智能、计算存储和元宇宙。 近两年来，大流行病一直在推动这种增长，总体需求似乎没有任何放缓。
计算存储
如今，计算存储对于所有有意绕过性能瓶颈并最大化其数据价值的企业数据管理人员来说都很重要。 三星在此次活动期间的多个演示中解决了这个问题，并通过现场演示验证了该技术。
Samsung SmartSSD 与 Xilinx 合作，旨在提高工作负载性能和系统效率，将三星固态存储和灵活的 Xilinx FPGA 计算引擎结合在单个设备中。 在存储器和 FPGA 之间提供内部数据路径可以更有效地传输数据以进行本地处理。 使用计算存储技术的本地处理速度更快，并且释放了主机内存带宽和 I/O 接口带宽（PCIe 通道）。 据三星称，SmartSSD 驱动器可以扩展以匹配数据量，没有瓶颈。
三星的 SmartSSD CSD 现已上市，并在日益拥挤的下一代计算存储领域展开竞争。
三星V-NAND的演进
NAND 闪存解决方案旨在将数据存储在二维 (2D) 结构上，其中芯片按比例缩放并放置在平面上。 但是这些二维结构在可以存储的数据量方面有很大的局限性。
2013 年，三星率先推出了 V-NAND（“V”代表垂直）闪存，这是一种通过垂直堆叠 3D 空间中的穿孔连接其单元层的解决方案。
它所带来的技术变革可以与习惯于住在一层或两层楼房的人们第一次搬进高层公寓的经历相提并论。
三星展示了一款基于其 7 的消费级固态硬盘 (SSD) 产品th 新一代 V-NAND 芯片，这是业界迄今为止单元尺寸最小的解决方案。 7号th 一代 V-NAND 解决方案同时满足 4 的性能要求th一代 PCIe 接口 (PCIe Gen 4) 和后来的 5th 代 (PCIe Gen 5)，这要归功于其每秒 2.0 吉比特 (Gbps) 的最大输入输出 (I/O)。
MTT综合医学训练疗法国际教学中心th 一代V-NAND将扩展到数据中心SSD，比16年降低功耗和提高6%的效率th 一代解决方案。 该公司已经获得了其 8 的工作芯片th 具有超过200层的新一代V-NAND解决方案，并计划根据消费者需求将其推向市场。
DigiOps与人工智能
三星通过推进高带宽内存 (HBM) 和内存处理 (PIM) 开发，解决了 AI 应用程序开发和部署的巨大增长问题。
传统的 HBM 已跟不上人工智能 (AI) 和机器学习 (ML) 领域的创新速度。 这是因为 AI/ML 应用程序不仅要处理数量惊人的数据，而且要始终处理得更快更好，这就需要增加带宽。
30 多年来，内存处理 (PIM) 技术的概念作为带宽限制的解决方案一直被讨论、研究和修改。 然而，解决使其可行所需的技术挑战的动力还不够强大。 原因如下：
PIM 技术的问题在于，存储器和逻辑集成一直是在牺牲存储密度或逻辑优化处理之间进行权衡。 因此，相对于集成的技术障碍和成本，最终 PIM 设备的性能和功能总是表现不佳。
基于 AI/ML 的“应用程序”的爆炸式增长刺激了对 PIM 技术开发的投资。 AI/ML 算法需要高速率访问大容量数据、内存带宽和功耗，限制了 AI/ML 应用程序的性能和功能。 PIM 解决了典型的 CPU/GPU 内存带宽瓶颈，提高了 AI/ML 应用程序的性能和能力。
三星展示了其采用内存处理 (HBM-PIM) 技术的新型高带宽内存，在同一块硅片上集成了高性能内存、并行数据处理和 DRAM。 HBM-PIM 基于 JEDEC 标准 HBM2 规范，但通过“内存处理器”或 PIM 架构得到增强。 基于HBM2的成功，三星已经计划在即将推出的HBM3中加入PIM技术。
预计将在 3 年第二季度看到 HBM2。
数据驱动世界的存储解决方案
三星使用五支柱类比对存储技术创新进行分类。 存储的支柱之一解决了对密度的持续需求。 在过去一年左右的时间里成为主流的一项技术是三星的“统治者”。 我们在 1 月份对 EXNUMX.S 进行了深入研究，重点介绍了该产品的优缺点。 你可以获得一些额外的背景 点击这里.
三星在数据驱动主题演讲中展示了新的 E1.L 128TB SSD。 这无疑满足了 SSD 的密度要求。
其他支柱是速度、安全性、界面和智能。
为了满足人口稠密的数据中心的需求，以太网 SSD (E-SSD) 成为焦点，减少了存储所需的不同连接类型。 三星和 NetApp 演示了 NVMe-over-Ethernet。 现场演示验证了 E-SSD 的开发，展示了网络中接口速度和吞吐量的差异。 云提供商已花费数十亿美元构建基于密集千兆位以太网交换机的数据中心。 能够将存储技术接口整合到以太网交换机中，从而降低云提供商的总体 TCO。
在围绕创新的讨论中，三星讨论了 PB-SSD 和 AI-SSD 技术的开发工作。 这些都处于发展的早期阶段，但肯定在地平线上。
分区命名空间 SSD
三星提供了其采用分区命名空间 (ZNS) 技术的企业级固态硬盘 (SSD) 的演示。 利用 ZNS，SSD 将最大限度地提高可用用户容量，并延长存储服务器、数据中心和云环境中的使用寿命。 支持 ZNS 的 PM1731a SSD 最初于 2021 年 XNUMX 月发布。
随着 NVMe 2.0 的发布，ZNS 已成为业界公认的在数据中心工作负载中更好地使用 NAND 的努力； ZNS 承诺降低 NAND 的 TCO，同时保持主机和 SSD 责任之间的明确分离。 然而，ZNS 广泛采用的剩余挑战之一是应用程序用户需要接受的变化。 具体来说，直接实现对 ZNS 支持的应用程序会丢失文件系统语义，这对现有工具链造成了限制。
ZNS 允许根据数据的使用和访问频率对数据进行分组，并按顺序存储在 SSD 内的独立区域中。 无需移动和重新排列数据，ZNS SSD 可以显着减少写入操作的次数，从而降低驱动器的写入放大系数 (WAF)——与主机系统最初指示的写入相比，驱动器执行的实际写入次数。 WAF 越接近 XNUMX，SSD 的效率越高，持续时间越长。
尽管 ZNS 的采用越来越受欢迎，但在所有供应商开始支持该技术之前还有一段路要走。 目前三星和西部数据已经拥抱了ZNS。
总结
这些只是三星技术日活动中讨论的几个主题。 虽然它是虚拟的，但内容很扎实，有相关的演示和合作伙伴的支持。 几所大学也参与了演示。 如果您有兴趣了解更多信息，活动的原始链接在这里 – 三星技术日。
三星PM1743 12 年 23 月 21 日推出
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