Silicon Motion 推出了 SM2524XT，这是一款面向 AI PC、边缘 AI 系统以及以本地 AI 推理为中心的工作负载的 PCIe Gen5 无 DRAM SSD 控制器。该控制器旨在满足 KV 缓存密集型工作负载的存储需求，在这些工作负载中，持续的随机 I/O 性能和低延迟访问对于持续推理至关重要。
Silicon Motion 表示，SM2524XT 的顺序读取速度最高可达 14GB/s，顺序写入速度最高可达 12GB/s，随机性能最高可达 2.5 万 IOPS。该控制器旨在应对 AI 推理工作负载中常见的碎片化、对延迟敏感的访问模式，从而保持稳定的吞吐量。
| 规格 | Silicon Motion SM2524XT |
|---|---|
| 概述 | |
| 产品类型 | PCIe Gen5 无 DRAM SSD 控制器 |
| 目标工作负载 | AI PC、边缘 AI、AI 推理和 KV 缓存密集型工作负载 |
| 主要焦点 | 持续的随机 I/O 性能和低延迟 AI 推理工作负载 |
| 接口和架构 | |
| PCIe 接口 | PCIe Gen5 x4 |
| NVMe 支持 | NVMe 2.1 |
| CPU架构 | 四核 Arm Cortex-R8 |
| NAND通道 | 4个NAND通道 |
| NAND接口速度 | 最高4,800 MT / s |
| 性能和力量 | |
| 顺序读取速度 | 高达 14 GB/秒 |
| 顺序写入速度 | 高达 12 GB/秒 |
| 随机性能 | 高达 2.5 万次 IOPS |
| 能量消耗 | 低于 5W 的 SSD 功耗 |
| 每瓦性能提升 | 比上一代产品最多提升 25%。 |
| 工艺和技术 | |
| 制造工艺 | 台积电6nm |
| 关键技术 | SCA（分离命令地址）、高级 FTL 调度、NANDXtend LDPC ECC |
| 纠错 | 采用 NANDXtend 技术的 4KB LDPC ECC 功能 |
| 电压优化 | PI-LTT 低电压 NAND I/O 优化 |
KV缓存工作负载推动更高的存储需求
AI推理工作负载的存储行为与传统的消费级固态硬盘（SSD）有所不同。KV缓存操作并非主要依赖于突发式顺序传输，而是产生连续的、碎片化的随机读写流，这严重依赖于持续的IOPS吞吐量和低延迟访问。
Silicon Motion 将 KV 缓存描述为 AI PC 中日益严重的存储瓶颈之一，尤其是在大型本地语言模型和 AI 代理将更多上下文数据从内存移动到本地 NVMe SSD 存储时。SM2524XT 的设计旨在持续的推理过程中保持稳定的随机 I/O 性能，因为在这种情况下，存储响应速度至关重要。
PCIe Gen5接口和四核架构
SM2524XT采用PCIe Gen5 x4接口，支持NVMe 2.1，并搭载四核Arm Cortex-R8处理器架构。该控制器支持四个NAND通道，接口速度高达4,800MT/s，采用台积电6nm工艺制造。
该架构还采用了 Silicon Motion 的分离式命令地址 (SCA) 技术，该技术将命令处理和地址处理分离，从而提高 NAND 闪存的访问效率。这种设计有助于提高并行数据处理的效率，并减少持续 AI 工作负载期间的延迟中断。
控制器中集成的其他技术包括先进的FTL调度和NANDXtend LDPC ECC纠错。Silicon Motion表示，这些特性将保持更稳定的性能，并在连续推理过程中提高可靠性。
电源效率
电源效率在 SM2524XT 的整体设计中也非常重要，Silicon Motion 表示，该控制器每瓦性能比上一代产品提高了 25%，同时将 SSD 的功耗保持在 5W 以下。
该控制器结合了 6nm 制造工艺和 Silicon Motion 的 PI-LTT 电压优化技术，可降低 NAND I/O 电压，从而在持续高负载运行时减少功耗。Silicon Motion 还将 SM2524XT 与之前的 SM2504XT 控制器进行了比较，结果表明，在相似的功耗水平下，SM2524XT 的顺序读取吞吐量更高。
围绕边缘人工智能和本地推理进行定位
Silicon Motion 表示，SM2524XT 的目标应用领域是 AI PC 和边缘 AI 系统，这些应用场景中推理工作负载越来越多地在本地运行，而不是完全依赖云基础设施。此外，与企业级 AI 代理、机器人、制造系统、科学应用和 AI 编码环境相关的工作负载也是 SM2524XT 的相关应用场景。
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