Toshiba memory America, Inc. 今天宣布推出其存储级内存 (SCM) 解决方案 XL-FLASH。 XL-FLASH 基于东芝的 BiCS FLASH 3D 闪存技术，每单元 1 位 SLC。 新的 SCM 技术旨在为企业带来高性能，同时经济高效地减少延迟。
Toshiba memory America, Inc. 今天宣布推出其存储级内存 (SCM) 解决方案 XL-FLASH。 XL-FLASH 基于东芝的 BiCS FLASH 3D 闪存技术，每单元 1 位 SLC。 新的 SCM 技术旨在为企业带来高性能，同时经济高效地减少延迟。
什么是东芝 XL-FLASH？
存储类内存也称为持久内存（或我们经常提到的 PMEM）。 SCM 具有与 NAND 类似的保留内容的能力，但从性能角度来看，它位于 DRAM 和 NAND 之间的空间。 DRAM 仍然带来更快的性能，但溢价似乎不会很快下降。 SCM 以可承受的成本向存储层次结构添加一个或多个新层。 SCM 还带来了比 DRAM 更高的存储容量和比 3D NAND 更高的速度（延迟更低）。
主要功能包括：
- 128 吉比特 (Gb) 芯片（采用 2 芯片、4 芯片、8 芯片封装）
- 4KB 页面大小可实现更高效的操作系统读写
- 16 平面架构可实现更高效的并行性
- 快速页面读取和编程时间。 XL-FLASH 提供小于 5 微秒的低读取延迟，比现有 TLC 快约 10 倍
最初推出的东芝 XL-FLASH 将采用 SSD 格式。 然而，未来可能会看到 SCM 进入位于 DRAM 总线上的内存通道，类似于 NVDIMM。 东芝将在其悠久的 NAND 历史（因为他们声称发明了 NAND 并首先宣布了 3D 闪存）的基础上将其推向 SCM 市场。
可用性
东芝将于 2020 月开始出样 XL-FLASH，预计 XNUMX 年开始量产。
