Toshiba Memory America 宣布推出用于嵌入式应用的新系列 SLC NAND 闪存产品。 该公司的第二代串行接口NAND产品支持串行外设接口(SPI)，可用于需要高速数据传输的各种应用。 第二代Serial Interface NAND家族共有八款产品，供电电压分别为2.70~3.60V和1.70~1.95V
Toshiba Memory America 发布了面向嵌入式应用的第二代SLC NAND 闪存产品。 该公司的第二代串行接口NAND产品支持串行外设接口(SPI)，可用于需要高速数据传输的各种应用。 新的串行接口 NAND 系列有八种产品，电源电压分别为 2.70 至 3.60V 和 1.70 至 1.95V。
与前几代产品相比，新的东芝产品具有更快的速度（即 104MHz 至 133MHz），并具有一个新命令，可加载数据以在 4 位 (QSPI) 模式下进行编程。 东芝表示，增加一个 8Gb 设备也带来了更高的 NAND 密度。
主要功能
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密度 |
1Gb、2Gb、4Gb、8Gb |
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页面大小 |
2KByte（1Gb、2Gb）、4KByte（4Gb、8Gb） |
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接口 |
串行外设接口模式 0、模式 3 |
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电源电压 |
2.70 至 3.60V，1.70 至 1.95V |
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工作温度范围 |
-40 o摄氏到85 oC |
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特色 |
・133MHz工作频率 ・编程/读取 x4 模式 ・高速顺序读取功能 ・ECC功能（ON/OFF、位翻转计数报告） ・数据保护功能（能够保护特定的块） ・参数页面功能（可以输出设备的详细信息） |
可用性
样品现已上市，量产时间定于 XNUMX 月。
