英特爾宣布推出 D7-P5500 和 P5600，這兩款新的 3D NAND SSD 專為在全閃存陣列中存儲數據的系統而設計。 這兩款新的 3D NAND SSD 採用英特爾最新的 TLC 3D NAND 技術構建，並以該公司全新的低延遲 PCIe 控制器為亮點，使這些驅動器成為處理 AI 和分析工作負載的強烈 IO 需求的系統的理想選擇。 它們還具有適用於雲環境的高級 IT 效率、管理和數據安全功能。
英特爾宣布推出 D7-P5500 和 P5600，這兩款新的 3D NAND SSD 專為在全閃存陣列中存儲數據的系統而設計。 這兩款新的 3D NAND SSD 採用英特爾最新的 TLC 3D NAND 技術構建，並以該公司全新的低延遲 PCIe 控制器為亮點，使這些驅動器成為處理 AI 和分析工作負載的強烈 IO 需求的系統的理想選擇。 它們還具有適用於雲環境的高級 IT 效率、管理和數據安全功能。
與上一代英特爾驅動器相比，該公司表示 D7-P5500 擁有兩倍的最大順序性能，而 D7-P5600 的隨機混合工作負載性能將提高 44%。 據稱，這兩款驅動器可為 80% 的事務提供高達 4% 的 99.99999KB 隨機讀取服務質量 (QoS) 改進。
英特爾還指出了一系列固件增強功能，以提高 IT 效率和數據安全性：
- 動態命名空間管理提供了支持更多用戶和擴展部署的靈活性。
- 某些安全平台需要的其他安全功能，例如 TCG Opal 2.0 和內置的 AES-XTS 256 位加密引擎。
- 增強的 SMART 監控，使用帶內機制和帶外訪問報告驅動器健康狀態，而不會中斷 I/O 數據流。
- Telemetry 2.0 可以訪問範圍廣泛的存儲數據，並包括智能錯誤跟踪和日誌記錄。 這提高了發現和緩解問題的可靠性，並支持加速認證週期——所有這些都可以提高 IT 效率。
- 優化的 TRIM 架構現在作為後台進程運行，不會干擾工作負載，從而提高並發 TRIM 期間的性能和 QoS。 TRIM 過程針對高密度驅動器進行了改進，減少了寫入放大，有助於驅動器達到其耐用性目標。
英特爾固態盤 D7-P5500 和 D7-P5600 規格
| 型號 | 英特爾固態硬盤 D7-P5500 | 英特爾固態硬盤 D7-P5600 |
| 容量和外形 | U.2 15 毫米：1.92 TB、3.84 TB、7.68 TB | U.2 15 毫米：1.6 TB、3.2 TB、6.4 TB |
| 介面 | PCIe 4.0 x4，NVMe 1.3c | PCIe 4.0 x4，NVMe 1.3c |
| 媒體 | 英特爾® 3D NAND 技術，96 層，TLC | 英特爾® 3D NAND 技術，96 層，TLC |
| 性能 | 128K 順序 R/W 高達 7,000/4,300 MB/s | 128K 順序 R/W 高達 7,000/4,300 MB/s |
| 隨機 4KB R/W 高達 1M/130K IOPS | 隨機 4KB R/W 高達 1M/260K IOPS | |
| 耐力 | 1 個 DWPD（最多 14 個 PBW） | 3 個 DWPD（最多 35 個 PBW） |
| 可靠性 | UBER：每 1 個部門 10 個部門17 位讀取 MTBF：2 萬小時 | UBER：每 1 個部門 10 個部門17 位讀取 MTBF：2 萬小時 |
| 電力 | 最大平均主動寫入：20W 空閒：5W | 最大平均主動寫入：20W 空閒：5W |
| 商品保修條款 | 5年有限保修 | 5年有限保修 |
D2-P15 和 P7 固態硬盤採用 U.5500 5600 毫米外形，容量分別為 1.92TB、3.84TB 和 7.68TB（1 DWPD）和 1.6TB、3.2TB 和 6.4TB（3 DWPD）。
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