英特爾在 19 月 5 日做了一件奇怪的事情。 它宣布他們現在正在他們的 Twitter 新聞帳戶上生產他們的 QLC PCIe SSD，幾乎沒有任何附帶的細節。 此後，英特爾幾乎沒有發布更多信息，但已確認這將成為英特爾用於數據中心的全新 D6 產品系列的一部分。 我們希望在下個月於聖克拉拉舉行的閃存峰會（9 月 3 日至 8 日）上了解更多信息。 英特爾的一位高級副總裁 Robert B. Crooke 將於 XNUMX 月 XNUMX 日就 XNUMXD NAND 發表主題演講。
英特爾在 19 月 5 日做了一件奇怪的事情。 它宣布他們現在正在他們的 Twitter 新聞帳戶上生產他們的 QLC PCIe SSD，幾乎沒有任何附帶的細節。 此後，英特爾幾乎沒有發布更多信息，但已確認這將成為英特爾用於數據中心的全新 D6 產品系列的一部分。 我們希望在下個月於聖克拉拉舉行的閃存峰會（9 月 3 日至 8 日）上了解更多信息。 英特爾的一位高級副總裁 Robert B. Crooke 將於 XNUMX 月 XNUMX 日就 XNUMXD NAND 發表主題演講。
QLC 代表四級電池，是超越已經常見的三級電池 (TLC) 的下一步。 顧名思義，QLC 每個單元格打包 4 位，比 TLC 多一位。 除了每個單元多打包 33% 的位外，我們可以合理地預期寫入速度和程序擦除週期會進一步降低，功耗和錯誤率也會增加； 可能需要開發新的糾錯代碼和控件。 早在一月份，我們就看到了英特爾今年計劃產品的規格。 有趣的是，該圖表包括使用 QLC 技術的 660p 以及高達 150K/150K IOPS 的指定隨機讀/寫速度和高達 1800/1100 MB/s 的順序讀/寫速度。 由於沒有關於英特爾在 Twitter 上戲弄的 SSD 的任何可驗證細節，我們只能推測其性能是否處於同一水平，但至少兩個驅動器都將具有 PCIe 接口。
英特爾與美光共同開發了 QLC 技術。 早在五月，我們報導了 美光宣布已開始出貨其 QLC SSD. 當時，美光預計今年秋季將有廣泛的市場供應，最快可能在 5 週後。
