今天，Micron Technology, Inc. 宣布了 DRAM 縮放方面的一項新進展。 美光聲稱是第一家開始使用 16z nm 工藝技術量產 4Gb DDR1 產品的內存公司。 該公司還宣布批量出貨採用基於 UFS 的多芯片封裝 (uMCP16) 的 4Gb 低功耗雙倍數據速率 4X (LPDDR4X) DRAM。
今天，Micron Technology, Inc. 宣布了 DRAM 縮放方面的一項新進展。 美光聲稱是第一家開始使用 16z nm 工藝技術量產 4Gb DDR1 產品的內存公司。 該公司還宣布批量出貨採用基於 UFS 的多芯片封裝 (uMCP16) 的 4Gb 低功耗雙倍數據速率 4X (LPDDR4X) DRAM。
1z nm技術的量產標誌著業界最小特徵尺寸DRAM節點的研製和量產。 據說美光的新型 1z nm 16Gb DDR4 可提供更高的位密度和性能增強，同時成本低於 1Y nm 節點。 這項新技術更證明了美光在其計算 DRAM (DDR4)、移動 DRAM (LPDDR4) 和圖形 DRAM (GDDR6) 產品線的性能和功耗創新方面的努力。 更小封裝中的功率和性能改進將是人工智能、自動駕駛汽車、5G、移動設備和遊戲等新興技術的理想選擇。
如上所述，較小的節點可以帶來多種好處。 這些優勢包括功耗降低高達 40%（與上一代基於 8Gb DDR4 的產品相比）。較低的功耗對於尋求更長電池壽命的移動設備非常重要。開始向 1z nm 過渡讓美光在為客戶提供新利益的條款。
