三星宣布已開始大規模生產其新型 3D V-NAND，與亞 20 納米浮柵 NAND 閃存相比，它有望帶來兩到十倍的可靠性和兩倍的寫入性能。 為實現這一目標，三星實施了一項新技術，將平面電池層垂直堆疊成 3D 結構。 新的 3D V-NAND 在單芯片上提供 128Gb 的密度，並結合了三星專有的垂直單元結構，該結構基於 3D 電荷陷阱閃存 (CTF) 技術和垂直互連工藝技術，以鏈接 3D 單元陣列。 三星的這一新產品將成為一系列新產品的推動力，包括消費電子產品以及企業產品和 SSD。
三星宣布已開始大規模生產其新型 3D V-NAND，與亞 20 納米浮柵 NAND 閃存相比，它有望帶來 3 到 3 倍的可靠性和兩倍的寫入性能。 為實現這一目標，三星實施了一項新技術，將平面電池層垂直堆疊成 128D 結構。 新的 3D V-NAND 在單個芯片上提供了 3Gb 的密度，並結合了三星專有的垂直單元結構，該結構基於 XNUMXD 電荷陷阱閃存 (CTF) 技術和垂直互連工藝技術，以鏈接 XNUMXD 單元陣列。 三星的這一新產品將成為一系列新產品的推動力，包括消費電子產品以及企業產品和 SSD。
三星的新型 3D V-NAND 是業界首創，並且是一項重大進步，因為 NAND 閃存行業正在考慮如何在將 NAND 光刻尺寸縮小到 10-20 納米級甚至更高的同時繼續降低成本和擴大容量，同時避免影響可靠性。 考慮到這一點，三星評估了他們最初於 2006 年創建的 CTF 技術，其中將電荷臨時放置在由氮化矽 (SiN) 組成的閃存非導電層的保持室中。 這與非 3D 技術不同，在非 XNUMXD 技術中，浮動柵極用於防止相鄰單元之間的干擾。
在三星曆時3年、目前在全球擁有10多項專利申請的300D V-NAND技術中，垂直互連工藝技術最多可堆疊24層。 為此，三星採用蝕刻技術，通過從最高層到底部打孔，以電子方式連接各層。 憑藉垂直的 3D 結構，三星正在創造一種方法，通過這種方法他們可以實現更高密度的 NAND 閃存產品，而無需平面縮放，這當然有局限性。
