三星宣布他們已經開始量產其 256Gb 3D V-NAND 閃存，該閃存基於 48 層 3 位 MLC 陣列，用於 SSD。 這是在 SanDisk 發布類似公告後不久 回到上週的 3 月 XNUMX 日.
三星宣布他們已經開始量產其 256Gb 3D V-NAND 閃存，該閃存基於 48 層 3 位 MLC 陣列，用於 SSD。 這是在 SanDisk 發布類似公告後不久 回到上週的 3 月 XNUMX 日.
此前，三星率先發布了其第二代V-NAND（2層32位MLC V-NAND）芯片 回到 2014 年 XNUMX 月. 快進僅僅一年後，該公司已經將傳統 128Gb NAND 閃存芯片的密度提高了一倍，達到 256Gb 3D V-NAND，這允許在一個芯片上存儲 32 GB（或 256 GB）的內存。 此外，新芯片使公司現有 SSD 型號的容量翻了一番，使製造多 TB SSD 成為可能。
V-NAND 芯片的每個單元都利用相同的 3D 電荷陷阱閃存 (CTF) 結構。 電池陣列垂直堆疊，形成一個 48 層高的體塊，由於獨特的蝕刻技術，該體塊通過大約 1.8 億個貫穿陣列的通道孔進行電氣連接。 三星表示，每個芯片總共包含超過 85.3 億個單元，能夠存儲 3 位數據。 這導致在不大於一角硬幣的芯片上產生 256 億位數據（例如 256Gb）。
此外，三星聲稱他們的 48 層 3 位 MLC 256Gb V-NAND 閃存芯片與存儲閃存的 30 層 32 位 MLC、3Gb V-NAND 芯片相比，能效降低了 128% 以上。相同數量的數據。 該公司還補充說，新芯片在生產過程中的生產效率也比其 40 層前代芯片高出約 32%，從而顯著提高了成本效益。
庫存情況
三星計劃到 3 年製造其第三代 V-NAND。除了推出密度為 2015TB 及更高的 SSD 外，該公司還表示將增加面向企業和數據中心存儲市場的高密度 SSD 銷量，使用 PCIe NVMe 和SAS 接口。
