三星已經開始量產 250GB SATA SSD,集成了該公司的第 6 代(1xx 層)256Gb 3bit V-NAND,面向全球 PC OEM。 憑藉其“通道孔蝕刻”技術,三星表示新的 V-NAND 在之前的 40x 層單堆棧結構的基礎上增加了大約 9% 的單元。 這是通過構建一個具有 136 層的導電模具堆棧,然後從上到下垂直刺穿圓柱形孔,從而創建一個均勻的 3D 電荷陷阱閃光 (CTF) 電池來完成的。
三星已經開始量產 250GB SATA SSD,集成了該公司的第 6 代(1xx 層)256Gb 3bit V-NAND,面向全球 PC OEM。 憑藉其“通道孔蝕刻”技術,三星表示新的 V-NAND 在之前的 40x 層單堆棧結構的基礎上增加了大約 9% 的單元。 這是通過構建一個具有 136 層的導電模具堆棧,然後從上到下垂直刺穿圓柱形孔,從而創建一個均勻的 3D 電荷陷阱閃光 (CTF) 電池來完成的。
當每個單元區域的模具堆疊高度增加時,可能會出現錯誤和讀取延遲漏洞。 為了解決這個問題,三星集成了速度優化的電路設計,使其能夠實現最快的數據傳輸速度:寫入低於 450μs,讀取低於 45μs。 三星表示,與上一代產品相比,性能提升了 10% 以上,功耗降低了 15% 以上。 因此,只需安裝三個當前堆棧,該公司聲稱他們將提供超過 300 層的下一代 V-NAND 解決方案,而不會影響芯片性能或可靠性。
三星還將創建 256Gb 芯片密度所需的通道孔數從 670 億個減少到(上一代為 930 億以上)。 這將允許減小芯片尺寸、減少工藝步驟並將製造生產率提高 20% 以上。
三星預計將在 512 年下半年提供 3Gb 2019bit V-NAND SSD 和 eUFS。此外,他們將從明年開始在其平澤(韓國)園區擴大生產速度更快、容量更大的第 6 代 V-NAND 解決方案年。