三星宣布已開發出業界首款使用 12 層 3D-TSV（矽通孔）技術製造的高帶寬存儲芯片。 高帶寬內存 (HBM) 用於人工智能和機器學習應用程序中使用的許多計算機組件，例如高端顯卡、FPGA、CPU 和網絡設備。 以前，任何人都可以做的最好的是 8 層。 三星成立於 1938 年，以其電子產品而聞名。 一段時間以來，他們一直是該領域的主要推動者之一。 令人印象深刻的是，這是他們今年在 HBM 領域取得的第二項進展； 去年三月，他們 宣布開發名為 Flashbolt 的超高容量 HBM2E 芯片 具有 410GBps 數據帶寬和 16GB 內存。
三星宣布已開發出業界首款使用 12 層 3D-TSV（矽通孔）技術製造的高帶寬存儲芯片。 高帶寬內存 (HBM) 用於人工智能和機器學習應用程序中使用的許多計算機組件，例如高端顯卡、FPGA、CPU 和網絡設備。 以前，任何人都可以做的最好的是 8 層。 三星成立於 1938 年，以其電子產品而聞名。 一段時間以來，他們一直是該領域的主要推動者之一。 令人印象深刻的是，這是他們今年在 HBM 領域取得的第二項進展； 去年三月，他們 宣布開發名為 Flashbolt 的超高容量 HBM2E 芯片 具有 410GBps 數據帶寬和 16GB 內存。
三星的新技術堆疊了 12 個 DRAM 芯片，其厚度與當前的 720 層 HBM8 產品相同，厚度為 2 ㎛。 實現這 2% 的密度增加需要超過 XNUMX 個 TSV 孔，這對生產提出了重大挑戰，三星一直對製造商何時可以開始將這些新芯片納入其處理芯片的確切時間持謹慎態度，這是可以理解的。 到目前為止，三星唯一告訴我們的是他們很快就能量產，這表明他們甚至還沒有最終確定生產線。 一旦製造商拿到它們，它們很快就會進入消費者手中，因為它們與當前一代具有相同的厚度（可能還有其他外形尺寸，儘管三星沒有這麼說） HBMXNUMX 內存。
這是三星在 2 年迄今為止在 HBM2019 製造方面取得的第二次進展。今年 2 月，三星宣布開發名為 Flashbolt 的 HBM16E 芯片，其內存容量是目前市場上芯片的兩倍，達到 24GB。 將 Flashbolt 中展示的進步與他們最新的開發相結合，使他們能夠將一半的層數打包到同一空間中，三星預測他們尚未命名的下一個高帶寬存儲芯片的一些非常令人印象深刻的數字。 三星表示，新芯片的容量將達到 XNUMXGB。 他們還沒有告訴我們新的帶寬是多少。
