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三星擴大NAND閃存產能

by 萊爾·史密斯

本週我們發現三星擴大了韓國平澤市的 NAND 閃存產能,以滿足中長期需求,特別是針對市場新興技術的需求。 該工廠的建設工作已經在順利進行,他們的 V-NAND 存儲器計劃於 2021 年下半年某個時候開始量產。三星表示將繼續進行新的投資以“抓住未來的市場機會”。

三星宣布擴大其在韓國平澤市的 NAND 閃存產能,以滿足中長期需求,特別是針對市場新興技術的需求。 該工廠的建設工作已經在順利進行,他們的 V-NAND 存儲器計劃於 2021 年下半年某個時候開始量產。三星表示將繼續進行新的投資以“抓住未來的市場機會”。

三星擴展NAND三星的平澤園區建於 2015 年,被認為是“下一代內存技術的中心”,因為它擁有兩條世界上規模最大的生產線。 因此,在 NAND 技術創新方面,該公司通常處於領先地位。 例如,它是第一家 量產第六代(1xx層)V-NAND 回到去年七月。

下面是一段三星V-NAND量產的歷史:

日期 與非
2013 年 7 月 1st代(24層)128Gb MLC V-NAND
八月2013 1st-一代 128Gb MLC V-NAND 960GB SSD
八月2014 2nd代(32層)128Gb 3-bit V-NAND
九月 2014 2nd-一代 V-NAND SSD
八月2015 3rd代(48層)256Gb 3-bit V-NAND
九月 2015 3rd-一代 V-NAND SSD '850 EVO', '950 PRO'
12月2016 4th代(64層)256Gb 3-bit V-NAND
2017月 4th-一代 V-NAND SSD
2018月 4th-代 512Gb V-NAND 30.72TB SAS SSD
2018 年 5 月 5th代(9x 層)256Gb 3 位 V-NAND
2018 年 6 月 5th-一代 V-NAND SSD
2019 年 6 月 6th代(1xx 層)256Gb 3 位 V-NAND
2019 年 7 月 6th-一代 V-NAND SSD

三星半導體

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